TC1202 超低噪聲GaAs FET

FET GaAs 晶體管

型號： TC1202

--- 產品參數 ---

廠家 Sumitomo
型號 TC1202
名稱砷化鎵HEMT
產地日本
封裝 Chip

--- 產品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的TC1202是GaAs偽晶高電子遷移率晶體管（PHEMT）芯片，其具有非常低的噪聲系數和高的相關增益。該設備可用于高達30 GHz的電路，適用于低噪聲應用。所有設備都經過100%直流測試確保始終如一的質量。所有焊盤均鍍金，用于熱壓或熱聲波導線粘合。

型號規格
廠家 Sumitomo
型號 TC1202
名稱砷化鎵HEMT
產地日本
封裝 Chip

型號參數
低噪聲系數：NF=0.5 dB 12 GHz時的典型值
高相關增益：Ga=12 dB，典型頻率為12 GHz
Lg=0.25μm，Wg=300μm
全金金屬化，實現高可靠性
嚴密的Vp范圍控制
高射頻輸入功率處理能力
100%直流測試

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