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TC1106 超低噪聲GaAs PHEMT FET

型號： TC1106

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo
  • 型號 TC1106
  • 名稱 砷化鎵HEMT
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 Chip

--- 產(chǎn)品詳情 ---

TC1106

型號簡介
Sumitomo的TC1106是GaAs偽晶高電子遷移率晶體管（PHEMT）芯片具有非常低的噪聲系數(shù)和高的相關增益。該設備最多可用于50個電路GHz，適用于低噪聲應用。所有設備都經(jīng)過100%直流測試，以確保質(zhì)量一致。所有焊盤鍍金，用于熱壓或熱聲波引線接合。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo 
型號                    TC1106
名稱                    砷化鎵HEMT
產(chǎn)地                    日本
封裝                    Chip
 

型號參數(shù)
低噪聲系數(shù)：NF=0.35 dB典型頻率為12 GHz
高相關增益：Ga=14.5 dB，典型頻率為12 GHz
LLg=0.15μm，Wg=160μm
全金金屬化，實現(xiàn)高可靠性
嚴密的Vp范圍控制
高射頻輸入功率處理能力
1100%直流測試


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