FSU02LG 通用 GaAs FET

FET GaAs

型號： FSU02LG

--- 產品參數 ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號 FSU02LG
名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管
產地日本
封裝 LG*

--- 產品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的FSU02LG是一種高性能、低噪聲的GaAs FET，設計用于PCS/PCN應用程序作為2GHz頻帶的驅動器。Eudyna嚴格的質量保證計劃確保最高可靠性和一致的性能。

型號規格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 FSU02LG
名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管
產地日本
封裝 LG*

型號參數
高輸出功率：P1dB=23.0dBm（典型值）@2GHz
高相關增益：G1dB=17.0dB（典型值）@2GHz
低噪聲系數：NF=1.5dB（典型值）@f=2GHz
低偏置條件：VDS=3V，20mA
經濟高效的密封微帶封裝
提供磁帶和卷軸

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