--- 產品參數 ---
- 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
- 型號 SGC5259-300B-R
- 名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
- 產地 日本
- 封裝 IK
--- 產品詳情 ---
型號簡介
Sumitomo的SGC5259-300B-R是一種高功率GaN HEMT與C波段雷達波段匹配,以提供最佳功率和增益在50歐姆的系統中。
型號規格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 SGC5259-300B-R
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
產地 日本
封裝 IK
型號參數
高輸出功率:Psat=55.8dBm(典型值)
高增益:Gp=13.8dB(典型值)
高排水效率:DE=51%(典型值)
寬帶:5.2至5.9GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50歐姆
密封包裝
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