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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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SGN2731-500L-R 雷達用高壓大功率GaN HEMT

型號： SGN2731-500L-R

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號 SGN2731-500L-R
  • 名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 IV

--- 產(chǎn)品詳情 ---

SGN2731-500L-R 

型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT SGN2731-500L-R為s波段雷達應用提供了高功率、高效率和更大的一致性，具有50V操作和高達120μsec脈沖寬度的脈沖條件，占空比高達10%。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號                    SGN2731-500L-R
名稱                    IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
產(chǎn)地                    日本
封裝                    IV


型號參數(shù)
高功率：550W（典型）@引腳=31.6W（45dBm）
高效率：57%（典型值）@引腳=31.6W（45dBm）
寬帶：2.7至3.1GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50Ω


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