--- 產品參數 ---
- 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
- 型號 SGN3133-260L-R
- 名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
- 產地 日本
- 封裝 IV
--- 產品詳情 ---
型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT SGN3133-260L-R為50V工作的s波段雷達應用提供了高功率、高效率和更大的一致性。低熱阻允許使用高達200μsec脈沖寬度的長脈沖,占空比為10%。
型號規格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 SGN3133-260L-R
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
產地 日本
封裝 IV
型號參數
高功率:320W(典型)@引腳=22.9W(43.6dBm)
高效率:57%(典型值)@引腳=22.9W(43.6dBm)
寬帶:3.1至3.3 GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50Ω
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