--- 產品參數 ---
- 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
- 型號 SGK5872-20C
- 名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
- 產地 日本
- 封裝 IBK
--- 產品詳情 ---
型號簡介
Sumitomo的ES/SG5872-20C是一種高功率GaN HEMT與標準通信頻帶匹配,以提供最佳功率和線性。
型號規格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 SGK5872-20C
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
產地 日本
封裝 IBK
型號參數
高輸出功率:P5dB=43.0dBm(典型值)
高增益:GL=14.0至15.0dB(典型值)
高功率附加效率:PAE=41%(典型值)
寬帶:頻率=5.85至7.2GHz
內部匹配
SMT應用的塑料封裝
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SGK5872-20C
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