--- 產品參數 ---
- 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
- 型號 SGK5867-100C
- 名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管
- 產地 日本
- 封裝 SMT
--- 產品詳情 ---
型號簡介
Sumitomo的ES/SG5867-100C是一種高功率GaN HEMT,內部匹配標準通信頻帶,在50Ω系統中提供最佳功率和增益。
型號規格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 SGK5867-100C
名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管
產地 日本
封裝 SMT
型號參數
高輸出功率:P5dB=50.5dBm(典型)
高增益;GL=14.5dB(典型值)
PAE高;ηadd=45%(典型值)
寬帶;5.85至6.75GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50Ω
密封包裝
相關型號
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上傳時間:2024-11-15 16:02
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