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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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15N10 TO252-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號(hào): 15N10 TO252-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO252封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào):15N10 TO252-VB
絲印:VBE1101M
品牌:VBsemi

詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:
- 溝道類(lèi)型:N溝道
- 額定電壓:100V
- 額定電流:18A
- 靜態(tài)電阻:115mΩ @ 10V, 121mΩ @ 4.5V
- 門(mén)源極電壓:±20V
- 閾值電壓:1.6V
- 包裝類(lèi)型:TO252

應(yīng)用簡(jiǎn)介:
15N10 TO252-VB MOSFET適用于需要高電壓和高電流的應(yīng)用。它常用于功率放大、開(kāi)關(guān)、逆變器等領(lǐng)域的電路模塊。

這些產(chǎn)品可以用在以下領(lǐng)域模塊上:
1. 功率放大器模塊:由于15N10 TO252-VB具有較高的額定電流和電壓,它可以用于放大和驅(qū)動(dòng)高功率信號(hào)的功率放大器模塊。
2. 開(kāi)關(guān)模塊:15N10 TO252-VB的高電流和低電阻特性使其成為開(kāi)關(guān)模塊中的理想選擇,能夠在開(kāi)關(guān)電路中高效地切換高功率負(fù)載。
3. 逆變器模塊:由于具有較高的額定電壓和電流能力,15N10 TO252-VB可用于逆變器模塊,將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)車(chē)充電器等領(lǐng)域。

總之,15N10 TO252-VB MOSFET適用于需要高電壓和高電流驅(qū)動(dòng)的領(lǐng)域模塊,如功率放大器、開(kāi)關(guān)和逆變器模塊。
 

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