--- 產品參數 ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 TO252封裝
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
型號:FQD6N40CTM-VB
絲印:VBE165R07S
品牌:VBsemi
參數:
- 溝道類型:N溝道
- 最大耐壓:650V
- 最大持續電流:7A
- 開通電阻(RDS(ON)):700mΩ @ 10Vgs
- 閾值電壓(Vth):3.5V
- 封裝類型:TO252
應用簡介:
FQD6N40CTM-VB是一款高耐壓N溝道MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),適用于需要處理高電壓和高功率的電子應用。以下是它的一些主要應用領域:
1. 開關電源模塊:這款MOSFET的高耐壓和合適的電流承受能力使其非常適合用于開關電源模塊,如開關穩壓器和離線電源適配器,用于高效地轉換電源。
2. 電機驅動:FQD6N40CTM-VB可以用于電機驅動電路,如工業電機控制、電動汽車驅動和電動工具,以實現高功率的電機運行。
3. 電源逆變器:在需要高電壓逆變的應用中,例如太陽能逆變器和電動汽車逆變器,這款MOSFET可以用于電源逆變電路,將直流電轉換為交流電。
4. 高電壓電源開關:由于其高耐壓特性,FQD6N40CTM-VB也可用于高電壓電源開關,用于控制電路的通斷狀態。
總之,FQD6N40CTM-VB是一款高性能的N溝道MOSFET,適用于各種需要處理高電壓和高功率的電子應用。它在開關電源、電機驅動、電源逆變器和高電壓電源開關等模塊中都有廣泛的用途。
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