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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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SG36F30S-D 高壓塑料模 GaN HEMT

型號： SG36F30S-D

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Eudyna
  • 型號 SG36F30S-D
  • 名稱 單路徑設(shè)備
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 SMT

--- 產(chǎn)品詳情 ---

SG36F30S-D

型號簡介
Sumitomo的SG36F30S-D GaN HEMT提供高效率、易于匹配、更大具有50V操作的高功率放大器的一致性和寬帶寬，并且給你更高的增益。此新產(chǎn)品非常適合用于3.6GHz W-CDMA和LTE設(shè)計要求，因為它提供了高增益、長期可靠性和易用性。該器件的目標(biāo)應(yīng)用是微電池的驅(qū)動階段和最終階段基站收發(fā)信臺。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric  Eudyna
型號                    SG36F30S-D
名稱                    單路徑設(shè)備
產(chǎn)地                    日本
封裝                    SMT


型號參數(shù)
高壓操作：VDS=50V
高功率：45.5dBm（典型值）@Psat
高效率：52%（典型值）@Psat
功率增益：17dB（典型值）@f=3.6GHz
經(jīng)驗證的可靠性


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