型號：SUD40N10-25-E3-VB
絲印：VBE1104N
品牌：VBsemi
參數：N溝道,100V,40A,RDS(ON),30mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth(V)；TO252
封裝：TO252

詳細參數說明：
- 型號：SUD40N10-25-E3-VB
- 絲印：VBE1104N
- 品牌：VBsemi
- 溝道類型：N溝道
- 最大耐壓：100V
- 最大電流：40A
- 靜態導通電阻：30mΩ @ 10V, 31mΩ @ 4.5V
- 門源極電壓：20Vgs (±V)
- 閾值電壓：1.8V

應用簡介：
SUD40N10-25-E3-VB是一款N溝道MOSFET，適用于各種電子模塊和應用，特別在需要高電流開關和低導通電阻的情況下。

應用領域：
這種產品通常用在以下領域的模塊上：
1. 電源供應模塊：用于電源開關和電流控制，如電源適配器和開關電源。
2. 電機驅動模塊：在電機控制中，可以用于快速開關和調節電機速度，如電動工具和電動車輛。
3. 逆變器模塊：用于轉換直流電到交流電的應用，如太陽能逆變器和UPS系統。
4. LED驅動模塊：控制LED亮度和色溫，實現能效優化，如LED照明驅動電路。
5. 電子開關模塊：在各種開關應用中，如照明開關、電源管理開關等。

這款器件的低導通電阻和高電流承受能力使其在上述領域中具有廣泛的應用潛力，有助于提高電子系統的性能和效率。