--- 產品參數 ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 DFN8(3X3)封裝
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
型號:CSD17579Q3A-VB
絲?。篤BQF1310
品牌:VBsemi
參數:
- N溝道 MOSFET
- 額定電壓:30V
- 最大持續電流:40A
- 靜態導通電阻 (RDS(ON)):11mΩ @ 10V, 16mΩ @ 4.5V
- 門源極電壓 (Vgs):最大±20V
- 閾值電壓 (Vth):2.3V
封裝:DFN8 (3X3)
詳細參數說明:
CSD17579Q3A-VB是一款N溝道MOSFET,主要設計用于低電壓和高電流的應用。其額定電壓為30V,能夠承受高達40A的持續電流。這款MOSFET在不同電壓下具有出色的導通特性,其靜態導通電阻在10V電壓下為11mΩ,而在4.5V電壓下為16mΩ,表現出較低的電阻,有助于減小功耗和熱量。
此外,CSD17579Q3A-VB的門源極電壓(Vgs)范圍廣泛,最大可以達到±20V,使其在各種控制電路中具有靈活性。其閾值電壓(Vth)為2.3V,可在不同應用中實現精確的控制。
應用簡介:
CSD17579Q3A-VB廣泛用于以下領域和模塊:
1. **電源管理模塊**:這款MOSFET在低電壓電源管理中表現出色,可用于穩壓、電池管理、充電和放電控制等。
2. **電機驅動**:由于其高電流承受能力,適用于直流電機驅動,如電動汽車電機控制、無人機電機控制等。
3. **DC-DC變換器**:CSD17579Q3A-VB的低導通電阻和高效性能使其成為DC-DC變換器中的理想選擇,可用于電源適配器和能量轉換器。
4. **電源開關**:可用于各種類型的電源開關,如電源開關模塊(PSU)和逆變器。
總之,CSD17579Q3A-VB是一款多功能的N溝道MOSFET,適用于各種低電壓、高電流的應用,為電源管理、電機控制和DC-DC變換器等模塊提供高性能和可靠性的解決方案。
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