--- 產品參數 ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 TO251封裝
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
型號:FQU30N06L-VB
絲印:VBFB1630
品牌:VBsemi
參數:
- N溝道
- 最大耐壓:60V
- 最大電流:25A
- 靜態導通電阻:32mΩ @ 10V, 36mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓:2.4V
- 封裝:TO251
**詳細參數說明:**
FQU30N06L-VB是一款N溝道MOSFET,最大耐壓為60V,最大電流為25A。其靜態導通電阻在不同電壓下表現如下:在10V下為32mΩ,在4.5V下為36mΩ,驅動電壓范圍為±20V。閾值電壓為2.4V。該器件采用TO251封裝,有著較好的散熱性能。
**應用簡介:**
FQU30N06L-VB適用于多種領域的模塊,包括但不限于:
1. **電源管理模塊**:由于其較低的導通電阻和高耐壓特性,它可用于電源開關,電流控制和電源管理模塊中,有助于提高效率。
2. **電機驅動**:可用于電機控制和驅動模塊,如電動汽車、工業機械和家用電器中的電機控制。
3. **電池充放電保護**:在電池管理系統中,它可以用于電池充放電保護和電流控制,確保電池的安全性和性能。
4. **逆變器和開關電源**:在逆變器和開關電源中,該器件可以實現高效的電能轉換和控制。
總之,FQU30N06L-VB適用于需要高性能N溝道MOSFET的多種領域,包括電源管理、電機驅動、電池管理和電源逆變器等領域。其性能參數使其成為許多電子模塊的理想選擇。
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