--- 產品參數 ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 TO252封裝
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
型號:12N10-VB
絲印:VBE1101M
品牌:VBsemi
參數:
- 溝道類型:N溝道
- 額定電壓:100V
- 最大連續電流:18A
- 靜態導通電阻(RDS(ON)):115mΩ @ 10V, 121mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓(Vth):1.6V
- 封裝類型:TO252
應用簡介:
12N10-VB是一款高電壓、高電流N溝道MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),適用于需要高性能功率開關的應用。以下是一些可能的應用領域:
1. 電源管理:這種高電壓、高電流MOSFET可用于電源開關、電源逆變器、電源供應和穩壓器等應用,以提供高效的電能控制和穩定的電壓輸出。
2. 電機控制:它適用于高功率電機控制,如電動機驅動器、直流電機控制、工業自動化設備和電機保護電路。
3. 汽車電子:在汽車電子中,這種MOSFET可以用于車輛電源管理、電機驅動、電動汽車充電設備等應用。
4. 高頻開關電源:用于高頻開關電源和逆變器,例如用于通信設備、太陽能逆變器、變頻空調等領域。
5. 高性能電子設備:適用于需要高電流、高電壓開關的高性能電子設備和工業控制系統。
總之,12N10-VB MOSFET適用于需要高功率、高電壓、高電流性能的電子應用領域。這種組件有助于提高系統效率、可靠性和電能控制,因此在各種領域的模塊和電路中廣泛應用。
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