型號：SI4401BDY-T1-E3-VB
絲印：VBA2412
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 溝道類型：P溝道
- 額定電壓：-40V
- 最大持續(xù)電流：-11A
- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))：13mΩ @ 10V, 17mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 (Vth)：-1.7V
- 封裝：SOP8

詳細(xì)參數(shù)說明：
SI4401BDY-T1-E3-VB 是一款 P 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）器件，具有-40V 的額定電壓和最大持續(xù)電流為-11A。它的 RDS(ON) 在不同電壓下表現(xiàn)出色良好，分別為 13mΩ @ 10V 和 17mΩ @ 4.5V。此外，它的閾值電壓（Vth）為-1.7V。

應(yīng)用簡介：
SI4401BDY-T1-E3-VB 是一種高性能的 P 溝道 MOSFET，適用于需要 P 溝道器件的電路應(yīng)用。由于其 P 溝道特性，它通常用于電源開關(guān)、電池保護(hù)電路、負(fù)電源開關(guān)和其他需要 P 溝道 MOSFET 的應(yīng)用。SOP8 封裝使其易于集成到小型電子設(shè)備中。這種型號的 MOSFET 可以在需要高性能 P 溝道開關(guān)的應(yīng)用中提供可靠的性能，適用于電源管理、電池保護(hù)、負(fù)電源控制和其他領(lǐng)域的模塊。其低導(dǎo)通電阻和高電流承受能力使其在高效率和高功率應(yīng)用中非常有用。