--- 產品參數 ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 TO252封裝
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
型號: DTU09N03-VB
絲印: VBE1307
品牌: VBsemi
參數: N溝道, 30V, 60A, RDS(ON) 10mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V); 1.6Vth (V)
封裝: TO252
詳細參數說明和應用簡介:
1. 溝道類型:N溝道
- 這表示這是一種N溝道MOSFET,通常用于電子設備中,特別是需要控制正電壓電源的應用。
2. 額定電壓 (VDS):30V
- 這是溝道MOSFET能夠承受的最大電壓,表示它適用于需要處理高達30V的電路。
3. 額定電流 (ID):60A
- 這是溝道MOSFET的額定電流,表示它可以處理的非常大電流負載。
4. 靜態漏極-源極電阻 (RDS(ON)):
- RDS(ON)是溝道MOSFET的導通狀態下的電阻。在10V的情況下,它的電阻為10mΩ,而在4.5V的情況下為11mΩ。這表明在導通狀態下,它的電阻非常低,有助于減小功耗和熱量。
5. 柵源電壓額定值 (Vgs):20V (±V)
- 這表示柵源電壓的額定范圍為正負20V。柵源電壓用來控制MOSFET的導通和截止狀態。
6. 閾值電壓 (Vth):1.6V
- 這是溝道MOSFET的閾值電壓,表示需要應用在柵極上的電壓,以使器件開始導通。
應用簡介:
這種型號的N溝道MOSFET通常用于各種電源管理和開關應用,包括但不限于以下領域和模塊:
1. 電源開關:這種MOSFET可用于電源開關模塊,例如DC-DC轉換器,以實現高效的電能轉換。
2. 電機控制:它可用于電機驅動和控制,因為它可以處理大電流負載。
3. 電源逆變器:在太陽能逆變器和UPS(不間斷電源)中,N溝道MOSFET可用于控制電能的流向。
4. 高功率放大器:在音頻放大器和高頻放大器中,它可以用于功率放大。
總之,這種型號的N溝道MOSFET適用于需要處理高功率和高電流負載的領域,以滿足功率開關和電源管理的需求,特別是需要處理正電壓電源的高功率應用。由于其低漏極-源極電阻和高額定電流,適用于高功率應用。
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