EGN21C105I2D 高壓大功率GaN HEMT

GaN HEMT 大功率高壓

型號： EGN21C105I2D

--- 產品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Eudyna
型號 EGN21C105I2D
名稱用于基站的功率GaN＞GaN HEMT
產地日本
封裝 SMT

--- 產品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT EGN21C105I2D 為50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和寬帶寬，并為您提供更高的增益。
此新產品非常適合用于2.14GHz W-CDMA和LTE設計要求，因為它提供了高增益、長期可靠性和易用性。

型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Eudyna
型號 EGN21C105I2D
名稱用于基站的功率GaN＞GaN HEMT
產地日本
封裝 SMT

型號參數(shù)
高壓操作：VDS=50V
高功率：50.3dBm（典型值）@Psat
高效率：70%（典型值）@Psat
功率增益：18dB（典型值）@f=2.14GHz
經驗證的可靠性

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