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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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EGN21C160I2D 高壓 大功率GaN HEMT

型號： EGN21C160I2D

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Eudyna
  • 型號 EGN21C160I2D
  • 名稱 用于基站的功率GaN＞GaN HEMT
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 SMT

--- 產(chǎn)品詳情 ---

EGN21C160I2D

型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT EGN21C160I2D 為50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和寬帶寬，并為您提供更高的增益。
此新產(chǎn)品非常適合在1.8GHz至2.2GHz范圍內(nèi)使用W-CDMA和LTE設(shè)計要求，因為它提供高增益、長期可靠性以及易用性。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric  Eudyna
型號                    EGN21C160I2D
名稱                    用于基站的功率GaN＞GaN HEMT
產(chǎn)地                    日本
封裝                    SMT


型號參數(shù)
高壓操作：VDS=50V
高功率：52.5dBm（典型值）@Psat
高效率：68%（典型值）@Psat
功率增益：18dB（典型值）@f=2.14GHz
經(jīng)驗證的可靠性


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