--- 產品參數 ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 SOT23封裝
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
型號:AO3401-VB
絲印:VB2355
品牌:VBsemi
參數:
- 封裝類型:SOT23
- 溝道類型:P—Channel
- 最大漏電壓(Vds):-30V
- 最大漏極電流(Id):-5.6A
- 靜態漏極-源極電阻(RDS(ON)):47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓(Vth):-1V
封裝:SOT23
應用簡介:
AO3401-VB是一款P-Channel溝道MOSFET,適用于多種電路和模塊設計,特別是在需要P-Channel MOSFET的低功耗和高性能應用中。
領域模塊應用:
1. **電源管理模塊:** 由于其P-Channel MOSFET特性,AO3401-VB常用于電源管理模塊,例如開關電源、電池管理系統等,以實現高效的功率轉換和能量管理。
2. **電流控制模塊:** 適用于需要對電流進行精確控制的模塊,如電流源、電流放大器等。
3. **電池保護模塊:** 用于電池充放電管理電路,提供高效的電池管理和保護功能。
4. **信號開關:** 在電子設備中可用于設計信號開關電路,實現信號的高效切換和傳遞。
5. **低功耗設備:** 由于其低閾值電壓和低漏電流特性,適用于對功耗要求較高的設備,如便攜式電子設備、傳感器節點等。
請注意,以上是一些典型的應用場景,實際使用時需根據具體電路和系統要求進行選擇和設計。在集成AO3401-VB時,建議仔細閱讀其數據手冊以獲取詳細的電特性和操作信息。
為你推薦
-
AP9T18J-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:11
產品型號:AP9T18J-VB 封裝:TO251 溝道:Single-N -
AP9T18GH-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:10
產品型號:AP9T18GH-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9T18GEH-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:09
產品型號:AP9T18GEH-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9T16J-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:08
產品型號:AP9T16J-VB 封裝:TO251 溝道:Single-N -
AP9T16H-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:06
產品型號:AP9T16H-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9T16GH-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:05
產品型號:AP9T16GH-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9T16AGH-HF-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:04
產品型號:AP9T16AGH-HF-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9T15J-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:03
產品型號:AP9T15J-VB 封裝:TO251 溝道:Single-N -
AP9T15H-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:01
產品型號:AP9T15H-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9T15GJ-HF-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:00
產品型號:AP9T15GJ-HF-VB 封裝:TO251 溝道:Single-N