PN8143TSEC-R1斷路器電源芯片內(nèi)置1000V功率MOS

型號(hào)： PN8143TSEC-R1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

品牌芯朋微
型號(hào) PN8143TSEC-R1
封裝 SOP-8
功率 8W
MOS 1000V

--- 產(chǎn)品詳情 ---

供應(yīng)PN8143TSEC-R1斷路器電源芯片內(nèi)置1000V功率MOS是芯朋微代理，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>

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IR2110國(guó)產(chǎn)替代芯片ID7S625高壓逆變器驅(qū)動(dòng)芯片方案2022-07-30 16:06

常見的MOS管驅(qū)動(dòng)方式有非隔離的直接驅(qū)動(dòng)、自舉驅(qū)動(dòng)，和有隔離的變壓器驅(qū)動(dòng)、光耦隔離驅(qū)動(dòng)等，ir2110驅(qū)動(dòng)芯片替代料ID7S625高壓高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，廣泛應(yīng)用于DCDC轉(zhuǎn)換器、功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)、DC/AC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。ir2110替代芯片ID7S625特征■芯片工作電壓范圍10V~20V■輸入邏輯兼容3.3

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65W PD快充方案PN8213+PN8307小體積低功耗2022-06-10 17:06

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30W pd快充方案PN8165+PN8307H兼容20W PD方案2022-05-24 16:02

自從iPhone12系列手機(jī)取消標(biāo)配充電器以來(lái)，各大手機(jī)品牌紛紛跟進(jìn)，目前Apple手機(jī)/平板電腦等多種數(shù)碼產(chǎn)品充電功率需求進(jìn)一步提升，20W快充已經(jīng)無(wú)法滿足快速充電需求，30WPD快充成了繼20WPD快充之后的另一大潛力市場(chǎng)，驪微電子推出基于PN8165+PN8307H的30W小體積PD快充參考設(shè)計(jì)，以滿足快充市場(chǎng)需求！30WPD套片方案：主控芯片采用PN8165，次級(jí)同步采用PN8307H(A

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