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廣電計量

廣電計量一家全國化、綜合性的國有第三方檢測機(jī)構(gòu)。專注于為客戶提供計量、檢測、認(rèn)證以及技術(shù)咨詢與培訓(xùn)等專業(yè)技術(shù)服務(wù)。

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aec-q100認(rèn)證,車規(guī)元器件全系認(rèn)證服務(wù),全項試驗項目

型號： AEC-Q100認(rèn)證試驗
品牌： GRGTEST(廣電計量)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 服務(wù)區(qū)域 全國
  • 服務(wù)周期 3-4個月，提供全面的認(rèn)證計劃、測試等服務(wù) 測試項目
  • 發(fā)票 可提供
  • 報告類型 中英文電子/紙質(zhì)報告

--- 產(chǎn)品詳情 ---

AEC-Q100認(rèn)證試驗

廣電計量失效分析實(shí)驗室AEC-Q技術(shù)團(tuán)隊，執(zhí)行過大量的AEC-Q測試案例，積累了豐富的認(rèn)證試驗經(jīng)驗，可為您提供更專業(yè)、更可靠的AEC-Q認(rèn)證試驗服務(wù)。

服務(wù)背景

IC作為重要的車載元器件部件，是AEC委員會持續(xù)關(guān)注的重點(diǎn)領(lǐng)域。AEC-Q100對IC的可靠性測試可細(xì)分為加速環(huán)境應(yīng)力可靠性、加速壽命模擬可靠性、封裝可靠性、晶圓制程可靠性、電學(xué)參數(shù)驗證、缺陷篩查、包裝完整性試驗，且需要根據(jù)器件所能承受的溫度等級選擇測試條件。需要注意的是，第三方難以獨(dú)立完成AEC-Q100的驗證，需要晶圓供應(yīng)商、封測廠配合完成，這更加考驗對認(rèn)證試驗的整體把控能力。廣電計量將根據(jù)客戶的要求，依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)對客戶的IC進(jìn)行評估，出具合理的認(rèn)證方案，從而助力IC的可靠性認(rèn)證。

廣電計量失效分析實(shí)驗室AEC-Q技術(shù)團(tuán)隊，執(zhí)行過大量的AEC-Q測試案例，積累了豐富的認(rèn)證試驗經(jīng)驗，可為您提供更專業(yè)、更可靠的AEC-Q認(rèn)證試驗服務(wù)。

產(chǎn)品范圍

集成電路(IC)

測試周期

3-4個月，提供全面的認(rèn)證計劃、測試等服務(wù)

測試項目

序號測試項目縮寫樣品數(shù)/批批數(shù)測試方法
A組 加速環(huán)境應(yīng)力試驗
A1PreconditioningPC773J-STD-020、
JESD22-A113
A2Temperature-Humidity-BiasTHB773JESD22-A101
Biased HASTHASTJESD22-A110
A3AutoclaveAC773JESD22-A102
Unbiased HASTUHSTJESD22-A118
Temperature-Humidity (without Bias)THJESD22-A101
A4Temperature CyclingTC773JESD22-A104、Appendix 3
A5Power Temperature CyclingPTC451JESD22-A105
A6High Temperature Storage LifeHSTL451JESD22-A103
B組 加速壽命模擬試驗
B1High Temperature Operating LifeHTOL773JESD22-A108
B2Early Life Failure RateELFR8003AEC-Q100-008
B3NVM Endurance, Data Retention, and Operational LifeEDR773AEC-Q100-005
C組 封裝完整性測試
C1Wire Bond ShearWBS最少5個器件中的30根鍵合線AEC-Q100-001、AEC-Q003
C2Wire Bond PullWBPMIL-STD883 method 2011、
AEC-Q003
C3SolderabilitySD151JESD22-B102或 J-STD-002D
C4Physical DimensionsPD103JESD22-B100、 JESD22-B108
AEC-Q003
C5Solder Ball ShearSBS至少10個器件的5個鍵合球3AEC-Q100-010、
AEC-Q003
C6Lead IntegrityLI至少5個器件的10根引線1JESD22-B105
D組 晶圓制造可靠性測試
D1ElectromigrationEM///
D2Time Dependent Dielectric BreakdownTDDB///
D3Hot Carrier InjectionHCI///
D4Negative Bias Temperature InstabilityNBTI///
D5Stress MigrationSM///
E組 電學(xué)驗證測試
E1Pre- and Post-Stress Function/ParameterTEST所有要求做電學(xué)測試的應(yīng)力試驗的全部樣品供應(yīng)商或用戶規(guī)格
E2Electrostatic Discharge Human Body ModelHBM參考測試規(guī)范1AEC-Q100-002
E3Electrostatic Discharge Charged Device ModelCDM參考測試規(guī)范1AEC-Q100-011
E4Latch-UpLU61AEC-Q100-004
E5Electrical DistributionsED303AEC Q100-009
AEC Q003
E6Fault GradingFG--AEC-Q100-007
E7CharacterizationCHAR--AEC-Q003
E9Electromagnetic CompatibilityEMC11SAE J1752/3-輻射
E10Short Circuit CharacterizationSC103AEC-Q100-012
E11Soft Error RateSER31JEDEC
無加速：JESD89-1
加速：JESD89-2或JESD89-3
E12Lead (Pb) FreeLF參考測試規(guī)范參考測試規(guī)范AEC-Q005
F組 缺陷篩選測試
F1Process Average TestingPAT//AEC-Q001
F2Statistical Bin/Yield AnalysisSBA//AEC-Q002
G組 密封封裝完整性測試
G1Mechanical ShockMS151JESD22-B104
G2Variable Frequency VibrationVFV151JESD22-B103
G3Constant AccelerationCA151MIL-STD883 Method 2001
G4Gross/Fine LeakGFL151MIL-STD883 Method 1014
G5Package DropDROP51/
G6Lid TorqueLT51MIL-STD883 Method 2024
G7Die ShearDS51MIL-STD883 Method 2019
G8Internal Water VaporIWV51MIL-STD883 Method 1018


 

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