--- 產品參數 ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 SOT223封裝
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
**BSP171P-VB 詳細參數說明與應用簡介:**
- **絲印:** VBJ2658
- **品牌:** VBsemi
- **參數:**
- 封裝:SOT223
- 溝道類型:P—Channel
- 最大耐壓:-60V
- 最大電流:-6.5A
- 靜態導通電阻:58mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓:-1~-3V
**應用簡介:**
BSP171P-VB是一款SOT223封裝的P-Channel溝道場效應晶體管。其主要特點包括高耐壓、低導通電阻以及適用于負載開關等應用場景。以下是該產品可能的應用領域:
1. **負載開關模塊:** 由于其P-Channel特性和較低的導通電阻,BSP171P-VB適用于負載開關模塊,可實現高效的電源開關控制。
2. **電源管理模塊:** 在電源管理模塊中,該晶體管可用于電源的開關與控制,有助于實現電源的高效管理與節能。
3. **電流控制模塊:** 作為電流控制元件,BSP171P-VB可應用于各種需要精準電流控制的電路中,確保電流的穩定性。
**使用注意事項:**
1. **電壓極性:** BSP171P-VB為P-Channel溝道晶體管,使用時需要注意其負載開關的電壓極性。
2. **電流與功耗:** 在設計中需確保不超過BSP171P-VB的最大電流和功耗,以避免過載損壞。
3. **封裝熱設計:** 在高功率應用中,需合理設計散熱方案,確保晶體管工作在安全的溫度范圍內。
4. **閾值電壓:** 在設計中應注意閾值電壓的范圍,確保在給定工作條件下能夠正常導通。
以上為BSP171P-VB的基本參數、應用簡介以及使用注意事項,具體應用時需根據實際電路設計要求進行詳細驗證。
為你推薦
-
AP9T18J-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:11
產品型號:AP9T18J-VB 封裝:TO251 溝道:Single-N -
AP9T18GH-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:10
產品型號:AP9T18GH-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9T18GEH-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:09
產品型號:AP9T18GEH-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9T16J-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:08
產品型號:AP9T16J-VB 封裝:TO251 溝道:Single-N -
AP9T16H-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:06
產品型號:AP9T16H-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9T16GH-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:05
產品型號:AP9T16GH-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9T16AGH-HF-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:04
產品型號:AP9T16AGH-HF-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9T15J-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:03
產品型號:AP9T15J-VB 封裝:TO251 溝道:Single-N -
AP9T15H-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:01
產品型號:AP9T15H-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9T15GJ-HF-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:00
產品型號:AP9T15GJ-HF-VB 封裝:TO251 溝道:Single-N