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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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FQD11P06TM-VB一款P溝道TO252封裝MOSFET應用分析

型號: FQD11P06TM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 TO252封裝

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**詳細參數說明:**
- 產品型號: FQD11P06TM-VB
- 絲印: VBE2610N
- 品牌: VBsemi
- 封裝: TO252
- 溝道類型: P—Channel
- 額定電壓: -60V
- 最大電流: -38A
- 開啟電阻: RDS(ON) = 61mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓: Vth = -1.3V

**應用簡介:**
該器件適用于需要P—Channel溝道的高電壓、高電流應用。主要應用于電源開關、電機驅動和功率放大器等領域。

**主要應用領域模塊:**
1. 電源開關模塊
2. 電機驅動模塊
3. 功率放大器模塊

**作用:**
- 電源開關模塊:提供高效的電源開關控制,適用于高電壓需求。
- 電機驅動模塊:控制電機的高電流和功率,適用于高性能電機系統。
- 功率放大器模塊:實現高功率放大,適用于音頻和射頻功率放大應用。

**使用注意事項:**
1. 請確保在規定的電壓范圍內操作。
2. 避免超過最大電流限制。
3. 在設計中考慮散熱,以確保器件正常工作溫度。
4. 遵循廠商提供的應用電路設計建議。
5. 注意防靜電措施,以防止損壞器件。

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