--- 產品參數 ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 SOT89-3封裝
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
**產品型號:** 2SK601-VB
**絲印:** VBI1101M
**品牌:** VBsemi
**參數:**
- 封裝:SOT89-3
- 溝道類型:N-Channel
- 額定電壓:100V
- 額定電流:3.1A
- 導通電阻:RDS(ON)=126mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓:Vth=1.7V
**應用簡介:**
適用于多個領域模塊,發揮以下作用:
1. **低功耗電子設備:** 在SOT89-3封裝中,適用于低功耗電子設備的電源管理和開關控制。
2. **信號調節:** 可用于信號調節模塊,通過N-Channel功率開關實現信號調節。
3. **電源開關:** 在電源開關模塊中,通過高電壓和適度電流,實現電源的開關控制。
**使用注意事項:**
1. 請確保操作在額定電壓和電流范圍內,避免超過規定數值。
2. SOT89-3封裝需要注意適當的散熱和布局設計,以維持正常工作溫度。
3. 在設計中考慮閾值電壓Vth=1.7V,確保適當的信號電平。
4. 根據具體應用場景采取適當的保護機制,以應對潛在的過電流和過壓情況。
為你推薦
-
AP9T18J-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:11
產品型號:AP9T18J-VB 封裝:TO251 溝道:Single-N -
AP9T18GH-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:10
產品型號:AP9T18GH-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9T18GEH-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:09
產品型號:AP9T18GEH-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9T16J-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:08
產品型號:AP9T16J-VB 封裝:TO251 溝道:Single-N -
AP9T16H-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:06
產品型號:AP9T16H-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9T16GH-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:05
產品型號:AP9T16GH-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9T16AGH-HF-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:04
產品型號:AP9T16AGH-HF-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9T15J-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:03
產品型號:AP9T15J-VB 封裝:TO251 溝道:Single-N -
AP9T15H-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:01
產品型號:AP9T15H-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9T15GJ-HF-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:00
產品型號:AP9T15GJ-HF-VB 封裝:TO251 溝道:Single-N