--- 產品參數 ---
- 溝道 2個N溝道
- 封裝 DFN8(3X3)封裝
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
**VBsemi CSD17308Q3-VB 產品詳細參數說明:**
- **絲印標識:** VBQF1310
- **品牌:** VBsemi
- **封裝:** DFN8(3X3)
- **通道類型:** 2個N—Channel溝道
- **漏極-源極電壓(VDS):** 30V
- **漏極-源極電流(ID):** 40A
- **導通電阻(RDS(ON)):** 11mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **閾值電壓(Vth):** 2.3V
**應用簡介:**
VBsemi CSD17308Q3-VB 是一款DFN8(3X3)封裝的N—Channel溝道場效應晶體管(MOSFET),主要用于高功率、低導通電阻的功率開關應用。
**主要應用領域和模塊:**
1. **電源模塊:** 適用于直流-直流(DC-DC)變換器、電源開關控制等。
2. **電機驅動模塊:** 可用于電機驅動模塊,提供高電流和低導通電阻的特性。
3. **電源開關模塊:** 在高功率電源開關模塊中發揮關鍵作用。
**作用:**
- 提供高電流和低導通電阻的功率開關控制。
- 用于驅動和控制電源、電機等高功率模塊。
**使用注意事項:**
1. **電壓等級:** 在規定的電壓范圍內使用,不要超過產品標稱的最大漏極-源極電壓。
2. **電流負載:** 注意電流負載不要超過產品的額定電流。
3. **工作溫度:** 在規定的工作溫度范圍內使用,避免超溫操作。
以上信息僅為參考,實際使用時請仔細閱讀產品手冊和規格書,確保正確使用,并遵循廠商的建議和注意事項。
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