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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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SI1539CDL-T1-GE3-VB一款N+P溝道SC70-6封裝MOSFET應用分析

型號: SI1539CDL-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道 N+P溝道
  • 封裝 SC70-6封裝

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**VBsemi SI1539CDL-T1-GE3-VB 產品詳細參數說明:**

- **絲印標識:** VBK5213N
- **品牌:** VBsemi
- **封裝:** SC70-6
- **通道類型:** N+P—Channel溝道
- **漏極-源極電壓(VDS):** ±20V
- **漏極-源極電流(ID):** 2.5A / -1.5A
- **導通電阻(RDS(ON)):** 130mΩ @ VGS=4.5V, 230mΩ @ VGS=20V
- **閾值電壓(Vth):** ±0.6~2V

**應用簡介:**

VBsemi SI1539CDL-T1-GE3-VB 是一款SC70-6封裝的N+P—Channel溝道場效應晶體管(MOSFET),適用于電源開關和信號放大應用。

**主要應用領域和模塊:**

1. **電源開關模塊:** 適用于直流-直流(DC-DC)變換器和電源開關控制。
 
2. **放大器模塊:** 由于其N+P—Channel設計,可用于信號放大模塊。

**作用:**

- 提供電源開關控制功能。
- 在信號放大電路中發揮作用。

**使用注意事項:**

1. **電壓等級:** 在規定的電壓范圍內使用,注意匹配應用的電壓需求。
 
2. **電流負載:** 注意電流負載不要超過產品的額定電流。
 
3. **工作溫度:** 在規定的工作溫度范圍內使用,避免超溫操作。

以上信息僅為參考,實際使用時請仔細閱讀產品手冊和規格書,確保正確使用,并遵循廠商的建議和注意事項。

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