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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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1N60-TO251-VB一款N溝道TO251封裝MOSFET應用分析

型號: 1N60-TO251-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO251封裝

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**1N60-TO251-VB**

**絲印:** VBFB165R02  
**品牌:** VBsemi  
**參數:** TO251;N—Channel溝道, 650V;2A;RDS(ON)=4300mΩ@VGS=10V, VGS=20V;Vth=2V  

**封裝:** TO251  

**詳細參數說明:**  
- **溝道類型:** N—Channel  
- **最大承受電壓:** 650V  
- **最大電流:** 2A  
- **導通電阻:** 4300mΩ(在VGS=10V時),4300mΩ(在VGS=20V時)  
- **閾值電壓:** 2V  

**應用簡介:**  
該器件適用于需要 N 溝道功率開關和放大的模塊,提供可靠的開關功能和信號放大。主要應用領域包括但不限于電源開關、放大器電路和電源逆變器。

**作用:**  
- 提供可靠的 N 溝道功率開關功能。
- 用于信號放大和調節。

**使用領域模塊:**
1. **電源開關模塊:** 用于構建高壓、高效的電源開關,穩定輸出電壓。
2. **放大器電路模塊:** 適用于需要 N 溝道功率放大的電路,如音頻放大器。
3. **電源逆變器模塊:** 在逆變器電路中,用于控制高壓開關,實現直流到交流的轉換。

**使用注意事項:**
1. **電壓和電流限制:** 不要超過規定的最大電壓和電流。
2. **極性注意:** 注意 N 溝道器件的正電壓特性。
3. **靜電防護:** 在處理和安裝時采取防靜電措施,以免損壞器件。

如有需要進一步了解或有其他問題,請告訴我。

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