**VBsemi SIR416DP-T1-GE3-VB 產品詳細參數說明：**
- **絲印標識：** VBQA1402
- **品牌：** VBsemi
- **封裝：** DFN8(5X6)
- **通道類型：** N—Channel溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 40V
- **漏極-源極電流（ID）：** 123A
- **導通電阻（RDS(ON)）：** 2mΩ @ VGS=10V, 2mΩ @ VGS=20V
- **閾值電壓（Vth）：** 1~3V
**應用簡介：**
VBsemi SIR416DP-T1-GE3-VB 是一款DFN8(5X6)封裝的N—Channel溝道場效應晶體管（MOSFET），適用于高功率開關電源和電機驅動應用。
**主要應用領域和模塊：**
1. **電源開關模塊：** 適用于直流-直流（DC-DC）變換器、電源開關控制等。
2. **電機驅動模塊：** 可用于高功率電機驅動，提供高電流和低導通電阻的特性。
**作用：**
- 提供高電流和低導通電阻的功率開關控制。
- 用于高功率電機驅動模塊，支持高效率和高性能。
**使用注意事項：**
1. **電壓等級：** 在規定的電壓范圍內使用，不要超過產品標稱的最大漏極-源極電壓。
2. **電流負載：** 注意電流負載不要超過產品的額定電流。
3. **工作溫度：** 在規定的工作溫度范圍內使用，避免超溫操作。
以上信息僅為參考，實際使用時請仔細閱讀產品手冊和規格書，確保正確使用，并遵循廠商的建議和注意事項。
