**VBsemi NTZD5110NT1G-VB 產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：**
- **絲印標(biāo)識(shí)：** VBTA3615M
- **品牌：** VBsemi
- **封裝：** SC75-6
- **通道類(lèi)型：** 2個(gè)N—Channel溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 60V
- **漏極-源極電流（ID）：** 0.2A
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：** 1200mΩ @ VGS=10V, 1200mΩ @ VGS=20V
- **閾值電壓（Vth）：** 0.4V
**應(yīng)用簡(jiǎn)介：**
VBsemi NTZD5110NT1G-VB 是一款SC75-6封裝的N—Channel溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），適用于低功率開(kāi)關(guān)電源和信號(hào)放大應(yīng)用。
**主要應(yīng)用領(lǐng)域和模塊：**
1. **低功率開(kāi)關(guān)模塊：** 適用于低功率直流-直流（DC-DC）變換器、低功率電源開(kāi)關(guān)控制等。
2. **信號(hào)放大模塊：** 由于其N(xiāo)—Channel設(shè)計(jì)，可用于信號(hào)放大模塊。
**作用：**
- 提供低功率開(kāi)關(guān)控制功能。
- 在信號(hào)放大電路中發(fā)揮作用。
**使用注意事項(xiàng)：**
1. **電壓等級(jí)：** 在規(guī)定的電壓范圍內(nèi)使用，不要超過(guò)產(chǎn)品標(biāo)稱(chēng)的最大漏極-源極電壓。
2. **電流負(fù)載：** 注意電流負(fù)載不要超過(guò)產(chǎn)品的額定電流。
3. **工作溫度：** 在規(guī)定的工作溫度范圍內(nèi)使用，避免超溫操作。
以上信息僅為參考，實(shí)際使用時(shí)請(qǐng)仔細(xì)閱讀產(chǎn)品手冊(cè)和規(guī)格書(shū)，確保正確使用，并遵循廠(chǎng)商的建議和注意事項(xiàng)。
