**IPB120N04S4-02-VB**

**絲印：** VBL1402  
**品牌：** VBsemi  
**參數(shù)：** TO263；N—Channel溝道, 40V；180A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V, VGS=20V；Vth=1~3V  

**封裝：** TO263  

**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：**  
- **溝道類型：** N—Channel  
- **最大承受電壓：** 40V  
- **最大電流：** 180A  
- **導(dǎo)通電阻：** 2mΩ（在VGS=10V時(shí)），2mΩ（在VGS=20V時(shí)）  
- **閾值電壓：** 1~3V  

**應(yīng)用簡(jiǎn)介：**  
該器件為 N—Channel MOSFET，適用于需要控制正向電流的高電流應(yīng)用，如電源開(kāi)關(guān)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

**作用：**  
- 控制正向電流，適用于需要 N—Channel 溝道的高電流模塊。
- 在電源開(kāi)關(guān)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域中發(fā)揮關(guān)鍵作用。

**使用領(lǐng)域模塊：**
1. **電源開(kāi)關(guān)模塊：** 用于構(gòu)建可靠的正向電流開(kāi)關(guān)電路，確保電源系統(tǒng)正常運(yùn)行。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊：** 適用于需要高電流控制的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。

**使用注意事項(xiàng)：**
1. **電壓和電流限制：** 不要超過(guò)規(guī)定的最大電壓和電流。
2. **溫度控制：** 注意器件工作時(shí)的溫度，避免過(guò)熱。
3. **閾值電壓選擇：** 根據(jù)應(yīng)用需求選擇適當(dāng)?shù)拈撝惦妷骸?/p>

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