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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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MTD3055ELT4G-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應用分析

型號: MTD3055ELT4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO252封裝

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**產品型號:** MTD3055ELT4G-VB

**絲印:** VBE1695

**品牌:** VBsemi

**參數:**
- 封裝:TO252
- 溝道類型:N—Channel
- 額定電壓:60V
- 額定電流:18A
- 靜態導通電阻(RDS(ON)):73mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓(Vth):2V

**封裝:** TO252

**詳細參數說明:**
MTD3055ELT4G-VB是一款TO252封裝的N-Channel溝道場效應管。其額定電壓為60V,額定電流為18A,具有較低的靜態導通電阻(RDS(ON)),在VGS=10V或VGS=20V時為73mΩ。閾值電壓(Vth)為2V。該器件適用于中功率、中電壓的場合,提供高效的功率開關性能。

 

**應用簡介:**
MTD3055ELT4G-VB適用于各種領域的功率模塊,包括但不限于:
1. **電源模塊:** 用于中電壓、中功率的穩壓電源、開關電源等應用,實現能量轉換。
2. **電機驅動:** 作為電機驅動模塊的一部分,實現對中功率電機的高效控制。
3. **電源逆變器:** 用于太陽能逆變器、電動汽車逆變器等中電壓、中功率逆變應用。

**作用:**
在上述模塊中,MTD3055ELT4G-VB的主要作用是實現中功率、中電壓的開關控制,以確保模塊的穩定性和高效性能。

**使用注意事項:**
1. **靜電防護:** 在操作過程中,需采取防靜電措施,避免對器件產生損害。
2. **散熱:** 注意器件的散熱,確保在額定工作溫度范圍內。
3. **電源匹配:** 在設計中,確保器件的電源與其額定參數匹配,以確保性能和可靠性。
4. **工作條件:** 了解并遵守器件的工作條件和電氣特性,確保在規定的工作條件下使用。

這些建議旨在確保器件的可靠性和性能,具體使用時需參考器件的數據手冊和廠商提供的技術規格。

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