--- 產品參數 ---
- 溝道 P溝道
- 封裝 SOT223封裝
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
**CET4301-VB 產品參數:**
- 絲印: VBJ2456
- 品牌: VBsemi
- 封裝: SOT223
- 類型: P—Channel 溝道
- 額定電壓: -40V
- 額定電流: -6A
- 靜態導通電阻: RDS(ON) = 42mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓: Vth = -0.83V
**應用簡介:**
適用于多種功率管理應用,特別是在需要 P 溝道 MOSFET 的場合,用于反相電源和電流控制。
**領域模塊及作用:**
1. **電源開關模塊:** 用于反相電源開關,實現電流控制。
2. **電池保護模塊:** 適用于電池過放保護,提高電池壽命。
3. **DC-DC 變換器模塊:** 在功率轉換中,用于控制電流和提高效率。
4. **電流控制模塊:** 用于精確控制電流,實現定向電流傳輸。
**使用注意事項:**
1. 請確保正確連接引腳,按照規格書提供的信息進行設計。
2. 在高功率應用中,考慮適當的散熱措施,以確保器件穩定工作。
3. 避免電壓和電流超過器件的最大額定值。
4. 在實際應用中,根據環境和需求采取防靜電措施,以防損壞器件。
為你推薦
-
AP9T18J-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:11
產品型號:AP9T18J-VB 封裝:TO251 溝道:Single-N -
AP9T18GH-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:10
產品型號:AP9T18GH-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9T18GEH-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:09
產品型號:AP9T18GEH-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9T16J-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:08
產品型號:AP9T16J-VB 封裝:TO251 溝道:Single-N -
AP9T16H-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:06
產品型號:AP9T16H-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9T16GH-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:05
產品型號:AP9T16GH-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9T16AGH-HF-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:04
產品型號:AP9T16AGH-HF-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9T15J-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:03
產品型號:AP9T15J-VB 封裝:TO251 溝道:Single-N -
AP9T15H-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:01
產品型號:AP9T15H-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9T15GJ-HF-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-27 15:00
產品型號:AP9T15GJ-HF-VB 封裝:TO251 溝道:Single-N