--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 溝道 2個N溝道
- 封裝 SOP8封裝
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**FDS6982AS-NL-VB 產(chǎn)品參數(shù):**
- 絲印: VBA3316
- 品牌: VBsemi
- 封裝: SOP8
- 類型: 2個 N—Channel 溝道
- 額定電壓: 30V
- 額定電流: 8.5A
- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻: RDS(ON) = 20mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓: Vth = 1.5V
**應(yīng)用簡介:**
適用于高性能功率開關(guān)應(yīng)用,特別是在需要 N—Channel MOSFET 的場合,用于高頻開關(guān)電源和功率放大。
**領(lǐng)域模塊及作用:**
1. **電源開關(guān)模塊:** 用于高頻開關(guān)電源,提供高效率的電力轉(zhuǎn)換。
2. **電機驅(qū)動模塊:** 控制電機運行,提高能源利用率。
3. **電源逆變模塊:** 適用于逆變器,將直流電源轉(zhuǎn)換為交流電源。
4. **功率放大模塊:** 在音頻放大器等應(yīng)用中,提供高性能的功率放大功能。
**使用注意事項:**
1. 確保按照規(guī)格書正確連接引腳,以確保器件正常工作。
2. 在高功率應(yīng)用中,考慮適當?shù)纳岽胧跃S持器件在正常溫度范圍內(nèi)。
3. 避免電壓和電流超過器件的最大額定值。
4. 注意在高頻應(yīng)用中,防止因電感和電容耦合導(dǎo)致的干擾問題。
為你推薦
-
AP9T18J-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2024-12-27 15:11
產(chǎn)品型號:AP9T18J-VB 封裝:TO251 溝道:Single-N -
AP9T18GH-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2024-12-27 15:10
產(chǎn)品型號:AP9T18GH-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9T18GEH-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2024-12-27 15:09
產(chǎn)品型號:AP9T18GEH-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9T16J-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2024-12-27 15:08
產(chǎn)品型號:AP9T16J-VB 封裝:TO251 溝道:Single-N -
AP9T16H-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2024-12-27 15:06
產(chǎn)品型號:AP9T16H-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9T16GH-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2024-12-27 15:05
產(chǎn)品型號:AP9T16GH-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9T16AGH-HF-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2024-12-27 15:04
產(chǎn)品型號:AP9T16AGH-HF-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9T15J-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2024-12-27 15:03
產(chǎn)品型號:AP9T15J-VB 封裝:TO251 溝道:Single-N -
AP9T15H-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2024-12-27 15:01
產(chǎn)品型號:AP9T15H-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9T15GJ-HF-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明2024-12-27 15:00
產(chǎn)品型號:AP9T15GJ-HF-VB 封裝:TO251 溝道:Single-N