--- 產品參數 ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 TO220封裝
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
**STP9N60M2-VB**
- **絲印:** VBM165R12
- **品牌:** VBsemi
- **參數:**
- 封裝:TO220
- 溝道類型:N—Channel
- 最大溝道電壓(VDS):650V
- 最大漏極電流(ID):12A
- 靜態漏極-源極電阻(RDS(ON)):800mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓(Vth):3.5V
**詳細參數說明:**
STP9N60M2-VB 是一款N—Channel MOSFET,封裝為TO220,具有最大650V的溝道電壓和12A的最大漏極電流。其靜態漏極-源極電阻為800mΩ,閾值電壓為3.5V。
**應用簡介:**
STP9N60M2-VB廣泛應用于功率電子應用,包括電源開關、電源逆變器和電機驅動器等。
**領域模塊應用:**
1. **電源開關模塊:** 在電源開關模塊中,STP9N60M2-VB可用于實現高效能耗的電源開關,提供可靠的電源控制。
2. **電源逆變器:** 作為電源逆變器的一部分,該器件能夠控制逆變電路,將直流電源轉換為交流電源,適用于各種功率電源系統。
3. **電機驅動:** 在電機驅動器中,STP9N60M2-VB可用于電機的高效驅動和控制,適用于工業自動化和電動汽車等領域。
**作用:**
- 提供可靠的功率電源開關和控制。
- 控制電源逆變器,將直流電源轉換為交流電源。
- 在電機驅動中用于電機的高效驅動和控制。
**使用注意事項:**
1. 遵循數據手冊中的最大額定值,以確保在規定條件下使用。
2. 注意散熱,確保器件工作在安全的溫度范圍內。
3. 在設計中考慮閾值電壓,以確保在正確的電壓條件下工作。
4. 確保正確的封裝和引腳連接,以避免引起電路連接問題。
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