--- 產品參數 ---
- 溝道 N溝道
- 封裝 TO252封裝
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
**AOD420-VB**
- **絲?。?* VBE1310
- **品牌:** VBsemi
- **參數:**
- 封裝:TO252
- 溝道類型:N—Channel
- 最大溝道電壓(VDS):30V
- 最大漏極電流(ID):70A
- 靜態漏極-源極電阻(RDS(ON)):7mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓(Vth):1.8V
**詳細參數說明:**
AOD420-VB 是一款N—Channel MOSFET,封裝為TO252,具有最大30V的溝道電壓和70A的最大漏極電流。其靜態漏極-源極電阻為7mΩ,閾值電壓為1.8V。
**應用簡介:**
AOD420-VB廣泛應用于高功率功率電子應用,包括電源開關、電機驅動和電源逆變器等。
**領域模塊應用:**
1. **電源開關模塊:** 在電源開關模塊中,AOD420-VB可用于實現高效能耗的電源開關,提供可靠的電源控制。
2. **電機驅動:** 作為電機驅動器的一部分,該器件能夠控制電機的運行,適用于高功率的電動工具和工業自動化系統。
3. **電源逆變器:** 在電源逆變器中,AOD420-VB可用于控制逆變電路,將直流電源轉換為交流電源,適用于太陽能發電系統等。
**作用:**
- 提供可靠的高功率電源開關和控制。
- 用于高功率電機的驅動和控制。
- 控制高功率電源逆變器,將直流電源轉換為交流電源。
**使用注意事項:**
1. 遵循數據手冊中的最大額定值,以確保在規定條件下使用。
2. 注意散熱,確保器件工作在安全的溫度范圍內。
3. 在設計中考慮閾值電壓,以確保在正確的電壓條件下工作。
4. 確保正確的封裝和引腳連接,以避免引起電路連接問題。
為你推薦
-
AP9960GM-VB一款Dual-N+N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-26 15:27
產品型號:AP9960GM-VB 封裝:SOP8 溝道:Dual-N+N -
AP9960GM-HF-VB一款Dual-N+N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-26 15:25
產品型號:AP9960GM-HF-VB 封裝:SOP8 溝道:Dual-N+N -
AP9960GJ-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-26 15:23
產品型號:AP9960GJ-VB 封裝:TO251 溝道:Single-N -
AP9960GH-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-26 15:22
產品型號:AP9960GH-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N -
AP9960GD-VB一款Dual-N溝道DIP8的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-26 15:21
產品型號:AP9960GD-VB 封裝:DIP8 溝道:Dual-N -
AP9960AGM-VB一款Dual-N+N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-26 15:20
產品型號:AP9960AGM-VB 封裝:SOP8 溝道:Dual-N+N -
AP9960AGM-HF-VB一款Dual-N+N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-26 15:19
產品型號:AP9960AGM-HF-VB 封裝:SOP8 溝道:Dual-N+N -
AP9950GP-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-26 15:15
產品型號:AP9950GP-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
AP9950AGP-HF-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-26 15:14
產品型號:AP9950AGP-HF-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
AP9950AGH-HF-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2024-12-26 15:12
產品型號:AP9950AGH-HF-VB 封裝:TO252 溝道:Single-N