--- 產品參數 ---
- 工作溫度 85
--- 產品詳情 ---
Qorvo QPD0005M RF JFET晶體管
Qorvo QPD0005M RF JFET晶體管是單路徑分立式GaN on SiC HEMT,采用塑料包覆成型DFN封裝。該系列晶體管的工作頻率范圍為2.5GHz至5.0GHz。該系列器件是單級、不匹配晶體管,能夠在+48V電壓下提供5.9W PSAT。
QPD0005M RF JFET晶體管 特性
工作頻率范圍:2.5-5.0GHz
工作漏極電壓:+48V
3.6GHz時的最大輸出功率 (PSAT):37.7dBm
3.6GHz時的最大漏極效率:74.1%
3.6GHz時的效率-調諧P3dB增益:18.6dB
4.5mm x 4.0mm DFN封裝
QPD0005M RF JFET晶體管 應用
WCDMA/LTE
宏蜂窩基站
微蜂窩基站
小型蜂窩
有源天線
5G大規模MIMO
通用型應用
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