ADMV1139ABBCZ 特性
芯片中集成了上變頻器（變送器）、下變頻器（接收器）和帶有 4 倍乘法器的 LO 鏈
射頻頻率范圍：37GHz 至 50GHz
變送器和接收器之間具有可選的片內射頻開關端口
LO 輸入頻率范圍：7.25GHz 至 12.05GHz
上變頻器和下變頻器的 2 種工作模式
差分基帶 I/Q 直接轉換（基帶模式）
具有可選片內混合功能的復雜 IF 操作（IF 模式）
接收模式下可編程基帶輸出共模電壓為 0.7V 至 1.5V，可通過 SPI 或物理引腳設置
可編程混頻器柵極電壓可在發送模式下適應 0V 至 1.5V 的基帶輸入共模
匹配的 50Ω 阻抗、單端射頻輸入和輸出以及射頻開關端口
匹配的 50Ω 阻抗、單端 LO 輸入
低相位變化與增益控制
上變頻模式
邊帶抑制和載波饋通優化
用于 LO 饋通校準的包絡檢波器
下變頻模式
鏡像抑制和 I/Q 不平衡優化
基帶 I/Q 直流偏移校正
用于接收器增益設置的接收器混頻器功率檢波器
LO 鏈特點
可變增益支持各種 LO 輸入電平
用于 LO 同步的 360° 移相器
I/Q 相位校正
通過外部引腳實現快速 TDD 切換時間
用于陣列校準的校準探頭
可通過 3 線或 4 線 SPI 進行編程，兼容ADMV4928 和 ADMV4828 接口
6mm × 6.5mm BGA 封裝（參見數據手冊的“外形尺寸”部分）
更多細節
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ADMV1139A 是一款絕緣體上硅 (SOI)、微波上變頻器和下變頻器，針對 5G 無線電設計進行了優化，工作頻率范圍為 37GHz 至 50GHz。
上變頻器和下變頻器都提供兩種頻率轉換模式。一種模式是變頻自和/或變頻至復中頻 (IF) 信號，然后通過可選的片內 90° IF 混合，稱為 IF 模式。
另一種模式是從和/或向差分基帶同相/正交 (I/Q) 輸入和輸出的直接轉換，稱為基帶模式。I/Q 基帶輸出共模電壓可在 0.7V 至 1.5V 之間進行編程。
當該套件用作鏡像抑制下變頻器時，在校準之前，不需要的鏡像項通常被抑制到 26dBc。ADMV1139A 提供平方律功率檢波器，允許監控下變頻器混頻器輸入端的功率電平。
RF 接收輸入、RF 發射輸出和本地振蕩器 (LO) 接口都是單端的，并且匹配到 50Ω。片內 RF 開關提供了將發射和接收 RF 端口組合在一起的選項，用于時分雙工 (TDD) 應用。
串行端口接口 (SPI) 可調整 LO 鏈 I/Q 相位，以實現優化邊帶抑制。此外，當不需要載波饋通優化時，SPI 允許關閉輸出包絡檢波器，以降低功耗。
ADMV1139A 上變頻器和下變頻器采用緊湊的耐熱性能增強型 6mm ×6.5mm 球柵陣列 (BGA) 封裝。這種 BGA 封裝能夠從封裝頂部對 ADMV1139A 進行散熱，以實現最高效的散熱。ADMV1139A 的工作溫度范圍為 ?40°C 至 +95°C TC。
ADMV1139ABBCZ 應用
毫米波 5G 應用
點對點微波射頻
雷達和電子戰系統
儀器儀表和自動測試設備 (ATE)
