--- 產品參數 ---
- 工作溫度 85
--- 產品詳情 ---

CLF3H0060S-10 寬帶射頻功率 GaN HEMT
CLF3H0060-10 和 CLF3H0060S-10 是 10 W 通用、無與倫比的寬帶 GaN-SiC HEMT 晶體管,可在 DC 至 6.0 GHz 頻率范圍內使用。該器件采用耐熱增強型封裝,支持連續波和脈沖應用。
CLF3H0060S-10 特點和優點
- 10 W 通用寬帶射頻功率 GaN HEMT
- 高效率
- 低熱阻
- 出色的堅固性
- 專為 DC 至 6.0 GHz 頻率范圍內的寬帶運行而設計
- 50 V 能力 10 W GaN-SiC HEMT,采用氣腔陶瓷封裝,采用無與倫比的配置
- 通過易于應用的軟件包提供靈活的性能
- 有關 RoHS 合規性,請參閱 Ampleon 網站上的產品詳細信息
- ADS 和 MWO 中的大信號模型可在 Ampleon 網站上找到
CLF3H0060S-10應用領域
- 寬帶戰術通信
- 寬帶對策
- 儀表放大器
- UHF、L 和 S 波段雷達

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