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深圳市宏源世紀科技有限公司

主要銷售觸摸芯片,DC-DC電源,微控制器單片機,存儲器,MOS場效應管,LED驅動產品。

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WINBOND/華邦 W29N01HVSINA TSOP48 NAND FLASH存儲器

型號: W29N01HVSINA

--- 產品參數 ---

  • 型號 W29N01HVSINA
  • 數量 5470
  • 封裝 TSOP48
  • 品牌 WINBOND/華邦
  • 批次 最新批次

--- 產品詳情 ---

1.概述W29N01HV(1G位)NAND閃存為空間、引腳和電源有限的嵌入式系統提供了一種存儲解決方案。它非常適合將代碼隱藏到RAM、固態應用程序和存儲媒體數據,如語音、視頻、文本和照片。該設備在單個2.7V至3.6V電源上工作,CMOS待機電流的有效電流消耗低至25mA 10uA。存儲器陣列總計138412032個字節,并被組織成135168個字節的1024個可擦除塊。每個塊由64個可編程頁組成,每個可編程頁有2112個字節。每個頁面由2048個字節組成,用于主數據存儲區域,64個字節用于備用數據區域(備用區域通常用于錯誤管理功能)。W29N01HV支持使用多路復用8位總線傳輸數據、地址和命令指令的標準NAND閃存接口。CLE、ALE、#CE、#RE和#WE這五個控制信號處理總線接口協議。

2.特點? 基本功能–密度:1Gbit(單片解決方案)–Vcc:2.7V至3.6V–總線寬度:x8–工作溫度? 工業:-40°C至85°C? 單電平單元(SLC)技術。? 組織–密度:1G位/128M字節–頁面大小? 2112字節(2048+64字節)–塊大小? 64頁(128K+4K字節)? 最高性能–讀取性能(最大)? 隨機閱讀:25 us? 順序讀取周期:25ns–寫入擦除性能? 頁面程序時間:250us(典型值)? 塊擦除時間:2ms(典型)–耐久性100000擦除/編程周期(1)–10年數據保留? 命令集–標準NAND命令集–附加命令支持? 復制回? 最低功耗-讀取:25mA(典型3V),編程/擦除:25mA,典型3V,CMOS待機:10uA(典型)? 空間高效包裝–48引腳標準TSOP1–48球VFBGA–63球VFBGA-Contact Winbond for stackedpackages/KGD

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