可編程邏輯器件（PLD）是20世紀70年代發展起來的一種新型邏輯器件，是目前數字系統設計的主要硬件基礎。根據可編程邏輯器件結構、集成度以及編程工藝的不同，它存在以下不同的分類方法。

　　主要有如下分類方法

　　按結構特點分類

　　按編程工藝分類

　　按集成度分類

　　按顆粒度分類

　　一、按結構特點分類

　　一是基于 “與或” 陣列結構的器件——陣列型；

　　（如：PROM、EPROM、EEPRM、PAL、GAL、CPLD、EPLD、EPLA）

　　二是基于門陣列結構的器件——單元型；

　　（如：FPGA）

　　1、可編程只讀存儲器（PROM）

　　可編程只讀存儲器只允許寫入一次，所以也被稱為一次可編程只讀存儲器（One Time Programming ROM，OTP-ROM）。可編程只讀存儲器在出廠時，存儲的內容全為1，用戶可以根據需要將其中的某些單元寫入數據0（部分的PROM在出廠時數據全為0，則用戶可以將其中的部分單元寫入1），以實現對其編程的目的。

　　PROM典型的產品分兩類：

　　一類是經典的可編程只讀存儲器，為使用“肖特基二極管”的PROM，它是由二極管組成的結破壞型電路。出廠時，二極管處于反向截止狀態，用大電流的方法將反向電壓加在“肖特基二極管”，造成其永久性擊穿即可。

　　另一類是由晶體管組成的熔絲型電路，如果想改寫某些單元，則可以給這些單元通以足夠大的電流，并維持一定的時間，原先的熔絲即可熔斷，這樣就達到了改寫某位的效果。

　　（具體詳細原理自行百度了）

　　2、可擦除的可編程只讀存儲器（EPROM）

　　最早研制成功并投入使用的EPROM是用紫外線照射進來擦除的。EPROM采用MOS型電路結構，其存儲單元通常由疊柵型MOS晶體管組成，而疊柵型MOS晶體管通常采用增強型場效應管結構。

　　3、電可擦除的可編程只讀存儲器（EEPROM）

　　EEPROM（也可寫成E2PROM）是一種用電信號擦除和改寫的可編程ROM。它不僅可以整體擦除存儲單元內容，還可以逐字擦除和逐字改寫。EEPROM的擦除和改寫電流很小，在普通工作電源下即可進行，擦除時也不需要將器件從系統上拆卸下來。

　　4、可編程陣列邏輯（PAL）

　　PLA沿用了在生產PROM器件中所采用的熔絲式雙極型工藝，具有“與”陣列可編程而“或”陣列固定結構，也可以達到很高的工作速度。PLA器件與PROM相比，陣列規模大大減少，能更靈活地實現各種邏輯功能，而PLA器件編程簡單、適應性強，可以取代多種常用中小規模晶體管邏輯器件。

　　5、通用陣列邏輯（GAL）

　　GAL是一種電可擦除可重復編程的邏輯器件，它具有靈活的可編程輸出結構，使得為數不多的集中GAL器件幾乎能夠代替所有的PAL器件和數百種中小規模的標準器件。而且GAL采用先進的EECMOS工藝，可以在幾秒鐘內完成對器件的擦除和寫入，并允許反復改寫。普通的GAL器件與PAL器件有相同的陣列結構，均采用“與”陣列可編程、或陣列固定的結構。

　　6、復雜可編程邏輯器件（CPLD）

　　CPLD是在PAL、GAL等器件的基礎上發展起來的大規模集成可編程邏輯器件，與PAL、GAL等器件相比，CPLD的規模比較大，一個CPLD可以替代幾十個甚至數百個通用的IC芯片。雖然不同IC公司生產的CPLD機構差異很大，但一般包含可編程的邏輯宏單元（Logic Macro Cell，LMC）、可編程的I/O單元、可編程的內部連線（Programmable Interconnect，PI）這三部分。

　　7、可擦除的可編程邏輯器件（EPLD）

　　EPLD結合了大規模集成電路體積小、價格低、可靠性高等優點，用戶可以根據需要設計專用電路，以避免價格高、周期長等問題。EPLD器件的延遲時間是可預測的，也是固定的。因此在EPLD器件中的功能模板上實現任何功能都具有同樣的速度。功能模塊通過無限制的內部互連在一起，提供了多個可編程邏輯結構。而每個功能模塊包含9個可編程“與”“或”陣列驅動的宏單元，任意一個引腳的輸入或宏單元的輸出都可以連到另一個宏單元的輸入，這種無限制的可編程互連結構保證了EPLD具有100%的布線能力。

　　8、現場可編程邏輯陣列（FPLA）

　　現場可編程邏輯陣列（FPLA）是可編程邏輯器件（PLD）的一種，它是一種半導體器件，含有可編程邏輯元件中所謂的“邏輯塊”和可編程互連。邏輯塊通過編程來執行基本邏輯門的功能，如“和”“異或”或更復雜的組合功能。在大多數的FPLA中，邏輯塊還包括記憶體分子、等級可編程互連，滿足邏輯塊要相互關聯的需要。另外，FPLA的結構和ROM相似，區別在于：首先，ROM的與陣列是固定的，而FPLA的與陣列是可編程的；其次，ROM的與陣列輸出是全部最小項，而FPLA的與陣列卻可以輸出簡化后的表達式。該系統設計師根據客戶或設計師需求來執行任何邏輯功能，因此命名為“現場可編程”。

　　9、現場可編程門陣列（FPGA）

　　FPGA是在PAL、GAL、CPLD等可編程器件的基礎上進一步發展起來的，它是基于單元型門陣列結構的器件。由于FPGA需要被反復燒寫，所以它實現組合邏輯的基本結構不可能像ASIC那樣通過固定的與非門來完成，而是只能采用一種易于反復配置的結構。目前主流的FPGA都采用了基于SRAM工藝的查找表，也有一些軍用品和宇航級FPGA采用Flash或熔絲與反熔絲工藝的查找表結構，通過燒寫文件改變查找表內容的方法來實現對FPGA的重復配置。

　　由布爾代數理論可知，對于一個ｎ輸入的邏輯運算，不管是與或非運算，最多只可能存在2n種結果，所以如果是先將相應的結果存放于一個存儲單元，就相當于實現了與非門電路的功能。FPGA原理也是如此，它通過燒寫文件去配置查找表的內容，從而在相同的電路情況下實現了不同的邏輯功能。

　　二、按編程工藝分類

　　1、熔絲（Fuse）和反熔絲（Antifuse）編程器件

　　為一次性編程使用的非易失性原件，編程后即使系統斷電，其存儲的編程信息也不會丟失。

　　2、SRAM型器件

　　大多數公司的FPGA器件都為SRAM型器件，它可以反復編程，實現系統功能的動態重構。但每次上電需要重新下載，實際應用時需要外掛EEPROM用于保存程序。

　　3、電信號可擦除的可編程只讀存儲器器件

　　為易失性器件，大多數CPLD器件都為EEPROM器件，可反復編程，不用每次上電重新下載，但相對速度慢、功耗較大。

　　4、可擦除的可編程只讀存儲器編程器件

　　為易失器件。

　　三、按集成度分

　　1、低密度可編程邏輯器件

　　集成度在1000門以下。早期生產的可編程邏輯器件，如PROM、PLA、PAL、GAL等，只能完成較小規模的邏輯電路，因此都屬于低密度器件。

　　2、高密度可編程邏輯器件

　　集成度為1000門以上，目前流行的EPLD、CPLD和FPGA等屬于高密度器件，可用于設計大規模數字系統，甚至可以做到片上系統（System on Chip，SoC ）設計。

　　四、按顆粒度分類

　　1、小顆粒度

　　如：海門架構。

　　2、中顆粒度

　　如：FPGA

　　3、大顆粒度

　　如：CPLD