在數字電子設備中，存儲器是至關重要的部分。它負責存儲和檢索數據，以支持各種計算和數據處理任務。在存儲器市場中，有兩種主要的類型：隨機訪問存儲器 ( RAM ) 和只讀存儲器 ( ROM )。盡管都是存儲器，但它們之間存在一些關鍵區別。
2023-12-05 15:46:17
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0.13μm非易失性FRAM產品的增強的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
電阻。MAX5128具有超小尺寸、2mm x 2mm μDFN封裝，待機電流低至0.5μA (典型值)，非常適合便攜式設備。MAX5128工作在+2.7V至+5.25V電源電壓，內置非易失存儲器可保存
2021-05-17 07:50:42
Flash的容量往往較小。NOR設備在每次寫操作時都必須以塊的方式寫入數據。并行NOR閃存利用靜態隨機存取存儲器(SRAM)快速訪問芯片的可尋址區域，實現了存儲字節的快速訪問。與NAND Flash相比
2023-05-18 14:13:37
數據的，而數據又包括代碼數據和一般意義上的數據。存儲器的訪問方式有兩種，一種是隨機訪問，即可以任意讀取某一字長長度內容，另一種是塊訪問，即每次訪問都是以扇區（512字節，或者扇區的整數倍）進行。而代碼
2016-03-15 12:35:10
存取速度分類)：1、隨機存取存儲器：SRAM、DRAM、FRAM；2、非隨機存取存儲器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory。差強人意的分類為(按易失性分類)：1、易
2012-01-06 22:58:43
第 4 章 存儲器4.1概述存儲器可分為那些類型現代存儲器的層次結構，為什么要分層一、存儲器分類1.按存儲介質分類（1）半導體存儲器TTL、MOS易失（2）磁表面存儲器磁頭、載磁體（3）磁芯存儲器
2021-07-29 07:40:10
1. 存儲器理解存儲器是計算機結構的重要組成部分，存儲器是用來存儲程序代碼和數據的部件，有了存儲器計算機才具有記憶功能。按照存儲介質的特性，可以分“易失性存儲器”和“非易失性存儲器”兩類，易失和非易
2021-07-16 07:55:26
存儲器的分類存儲器是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據，從不同的角度對存儲器可以做不同的分類。1、按存儲介質分半導體存儲器（又稱易失性存儲器）：體積小，功耗低，存取時間短，電源消失的時候，所存的信息也隨之消失。磁表面存儲器（...
2021-07-26 08:30:22
所謂的寄存器、內存等用于存儲信息的復雜結構。存儲器的分類存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器；所謂易失性存儲器是指設備掉電，存儲的信息自動清除，而非易失性存儲器具有存儲時間長的功能。易失性存儲器主要指
2021-12-10 06:54:11
Keil編譯后生成bin文件占用內部Flash的大小，RAM，ROM，Code，RO-data，RW-data，ZI-data名詞解釋RAMRAM又稱隨機存取存儲器，存儲的內容可通過指令隨機讀寫訪問
2022-01-26 06:05:59
靜態隨機存儲器 (Low Power SRAM); 高速靜態隨機存儲器 (High Speed SRAM); 虛擬靜態隨機存儲器
2010-09-03 13:05:24
靜態隨機存儲器SRAM存儲數據原理
2021-02-26 06:36:26
，非易失性存儲器還需確保足夠的讀寫次數來記錄至少 20 年數據。此外，為了達到汽車級認證和資格，所有子系統應采用符合 AEC-Q100 標準的存儲器組件。同時，功能性安全性能符合ISO 26262標準是另外一
2018-05-21 15:53:37
隨機存取存儲器）和OUM(Ovshinsky電統一隨機存取存儲器)，三者科技內涵各有所長,市場預測尚難預料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關于非易失性MRAM的單元結構
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-10 07:20:20
125°C下的數據保存時間超過10年。 圖7.對3500Oe磁場的靈敏度降低了1E6倍。 關鍵詞：MRAM相關文章：非易失性存儲器MRAM的兩大優點宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國內外各大
2020-07-02 16:33:58
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說明在智能電子式電表的設計中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優勢。圖1顯示的是智能電子式電表的簡化框圖。非易失性存儲器是一個電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內存有寫入限制，所以我需要使用易失性內存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
非易失可重復編程FPGA的應用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
bq4011是一個非易失性262144位靜態RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標準SRAM的無限寫入周期相結合。控制電路持續監測單個5V電源是否超出公差條件。當
2020-09-16 17:15:13
為cy14b256la數據表中提到的20年的數據保留。其他NVSRAM產品列出100年。這是從最近的店鋪經營20年，或者20年總在芯片的生活嗎？有沒有辦法從芯片上讀取選項狀態？如果AutoStore
2019-03-06 15:10:30
我司是韓國EMLSI和美國Everspin半導體中國區指定代理.公司主要產品有：1,Low power SRAM (低功耗靜態隨機存儲器)1Mbit~8Mbit.2,Serial SRAM(串行
2013-08-22 09:30:32
并行隨機訪問讀取和寫入的速度最快為20 ns。 發生電源故障時，nv SRAM會自動將SRAM數據的副本保存到非易失性存儲器中，該數據將受到20多年的保護。SRAM和非易失性存儲器之間的傳輸是完全并行
2020-04-08 14:58:44
和傳統的SRAM直接替換。FRAM產品具有RAM和ROM優點，讀寫速度快并可以像非易失性存儲器一樣使用。因鐵電晶體的固有缺點，訪問次數是有限的，超出限度，FRAM就不再具有非易失性。Ramtron給出
2014-04-25 13:46:28
第一代非易失性GW1N系列FPGA芯片小步快走，GW1N-6和GW1N-9在繼承了GW1N-1/2/4的眾多優點的基礎上，加入了多項創新的特性，使得高云半導體在非易失性FPGA領域逐步建立了領先優勢
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應用程序中，我們需要將安全數據（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區域
2023-04-14 07:38:45
SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態隨機存儲器，所謂的“靜態”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術規格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns至20ns之間。它不需要閃存所必需
2022-02-11 07:23:03
MSP430G 系列處理器是一款低成本16 位處理器，其并不具備 EEPROM。為了存儲非易失性數據，MSP430G 系列處理器在芯片內部劃分出了 256 字節的 Flash 空間作為信息
2019-10-18 09:00:50
MT47H64M16NF-25E:M動態隨機存取存儲器：規格：存儲器類型易失存儲器格式DRAM技術SDRAM - DDR2存儲容量1Gb （64M x 16）存儲器接口并聯時鐘頻率400MHz寫
2020-06-30 16:26:14
當系統運行了一個嵌入式實時操作系統時（RTOS），操作系統通常都是使用非易失的存儲器來運行軟件以及采集數據。存儲器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態隨機訪問儲存器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀存儲器）。
2019-06-28 08:29:29
航空航天專用Everspin非易失性MRAM存儲器
2020-12-31 07:15:20
還支持對存儲器的無限次讀寫。 ESP-PSRAM64與ESP-PSRAM64H的區別： 引腳配置圖： 好了，關于串行外設接口(SPI) 64 Mbit 偽靜態隨機存儲?ESP-PSRAM64，今天
2020-05-11 09:56:38
世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM產品之第二款并口器件FM28V020。
2019-09-16 10:31:20
存儲器（Volatile Memory），存儲內容不會丟失的存儲器稱作非易失存儲器（Non-Volatile Memory）。半導體存儲器的分類* RAM (Random Access Memory
2019-04-21 22:57:08
你好，作為NVSRAM的一部分，非易失性存儲器的耐力E/P周期是多少？最好的問候，井上 以上來自于百度翻譯 以下為原文Hi, How much are endurance E/P cycles
2018-10-19 15:57:30
代碼執行應用則要求存儲器的隨機訪存速度更快。經過研究人員對浮柵存儲技術的堅持不懈的研究，現有閃存的技術能力在2010年底應該有所提升，盡管如此，現在人們越來越關注有望至少在2020年末以前升級到更小
2019-06-26 07:11:05
EVAL-AD5232SDZ，用于AD5232雙通道，256位，非易失性存儲器數字電位器的評估板。 AD5232具有多種可編程性，允許多種工作模式，包括RDAC和EEMEM寄存器中的讀/寫訪問，電阻的遞增/遞減
2020-04-01 09:01:26
的載體。因此各種IC卡的應用特 點主要體現在IC卡存儲器的類型，存儲器容量的大小和卡片電路的附加控制功能等幾個方面。 在IC卡中使用的存儲器類型主要分為兩大類：易失性存儲器和非易失性存儲器。 易失
2020-12-25 14:50:34
靜態隨機存儲器)64Kbit-512Kbit.5.PSRAM[Pseudo SRAM,UtRAM(虛擬靜態隨機存儲器)4Mbit-64Mbit.6.Cellular RAM(偽靜態隨機存儲器
2013-08-29 10:11:56
MIKROE-2768，FRAM 2 CLICK Board帶有CY15B104Q 4 Mbit（512K x 8）串行F-RAM。鐵電隨機存取存儲器或F-RAM是非易失性的，并且執行類似于SRAM
2020-07-22 10:30:31
1. 嵌入式的外部存儲器嵌入式系統中，外部的存儲器一般是Nand flash和Nor flash，都稱為非易失存儲器。存儲器的物理構成包含頁內地址，頁（Page），塊（Block）。可以得出存儲器
2021-12-10 08:26:49
我應該用什么API來存儲非易失性數據？我使用CYW43907，手冊上說它支持外部閃存。我想知道我是否應該使用WiDeDssFlash寫來存儲數據，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個輸入引腳和哪個是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
保護您的嵌入式軟件免受內存損壞本文的目的是提供一種軟件方法，解釋如何處理存儲在非易失性設備（如小型 EEPROM 或閃存）中的內存數據集損壞。在微型嵌入式系統中看到這些數據集是很常見的，這些系統存儲
2021-12-24 07:27:45
在嵌入式設計中，許多應用設計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數據，由于成本原因，某些單片機在芯片內部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在
2019-09-23 08:31:04
預編程設備的引導加載，我們有一個困難，顯然制造商沒有對NVLS編程，因此引導加載程序拒絕重新編程閃存。有一個問題出現（對于PSoC 3和PSoC 5LP，我們使用在其他板上）：如何讀取PSoC處理器的非易失性鎖存器？安德烈亞斯
2019-08-15 06:46:55
常用存儲器存儲器的種類RAM存儲器非易失性存儲器存儲器的種類易失性存儲器： 掉電數據會丟失讀寫速度較快內存非易失性存儲器：掉電數據不會丟失讀寫速度較慢機械硬盤RAM存儲器RAM是“Random
2021-12-10 07:09:20
影響存儲器訪問性能的因素有哪些？DSP核訪問內部存儲器和外部DDR存儲器的時延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
)4Mbit-64Mbit.4.Cellular RAM(偽靜態隨機存儲器)4Mbit-64Mbit.6.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存儲器)256Kbit-16Mbit8.Mobile SDRAM
2013-08-23 11:00:03
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲器）、FRAM（鐵電存儲器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態存儲器）等。每種類型存儲器在不同性能指標下具有各自的優勢和劣勢：存儲器
2019-07-23 06:15:10
方便移動設備應用.存儲器系統設計必須支持增長的帶寬需求及更少的功耗.非易失性固態存儲器與傳統的NOR閃存相比，被證實可以減少功耗。存儲器子系統架構存儲器子系統架構是嵌入式設計者面臨的主要挑戰.存儲器參數
2018-05-17 09:45:35
磁阻式隨機存儲器MRAM的基本原理是什么？
2021-06-08 06:33:01
程序存儲器(ROM)作用：存放程序、表格或常數，具有非易失性特點：片內ROM與片外ROM可有2種組合方案方案1 ： 4 KB以內的地址在片內ROM，大于4KB的地址在片外ROM中（圖中折線），兩者
2021-12-13 06:08:21
具有記憶功能。按照存儲介質的特性，可以分“易失性存儲器”和“非易失性存儲器”兩類。易失性存儲器斷電后，里面存儲
2022-02-11 07:51:30
存儲器分類按不同分類標準可作不同的分類。按存儲介質不同可分為半導體存儲器（易失或非易失）、磁表面存儲器（非易....
2021-07-26 06:22:47
（DRAM）與靜態隨機存儲器（SRAM）兩大類。DRAM 以電容上存儲電荷數的多少來代表所存儲的數據，電路結構十分簡單（采用單管單電容1T-1C的電路形式），因此集成度很高，但是因為電容上的電荷會泄漏，為了能
2022-11-17 16:58:07
開發周期、長期供貨和最先進技術。從便攜式電子產品到網絡設備，賽普拉斯的存儲器系列產品總能提供相應的存儲器方案：低功耗、異步、同步與非易失性 SRAM，以及多端口 SRAM、FIFO 等。賽普拉斯提供完整
2020-09-01 19:40:50
/Toggle 2.0接口，可為企業級SSD廠商提供高性能的同步非易失性存儲器解決方案。全新nvSRAM可直接放在NAND閃存總線上，成為關鍵非易失性數據的有源存儲器空間（見圖6）。全新nvSRAM接口
2018-09-26 09:44:52
半導體公司推出的一種與SRAM相似但卻具有非易失性的隨機存儲器，它沒有BSRAM模組系統的設計復雜性和相關的數據可靠性問題，而且能在掉電的情況下保存數據。FRAM不但克服了EEPROM和FLASH寫入時間長、擦寫次數低的缺點,同時其成本也比相同容量的鋰電池+SRAM方案低很多。
2021-04-15 07:14:23
（Ferroelectric Random Access Memory）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器（內存）。FRAM的數據保持，不僅不需要備用
2020-05-07 15:56:37
而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統的主流半導體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態存儲器SRAM和動態存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數據
2011-11-19 11:53:09
而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統的主流半導體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態存儲器SRAM和動態存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數據
2011-11-21 10:49:57
的寫入次數、并為開發人員提供了一個全新的靈活度（允許其通過軟件變更來完成數據內存與程序內存的分區)。鐵電存儲器相比SRAM、FLASH和EEPROM優點多多:非易失性，寫入速度快，無限次寫入,最關鍵是
2021-11-10 08:28:08
可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲器容量。快速的寫入速度和無限的耐用性使該存儲器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11
存儲器的分類及原理,動態隨機存儲器,靜態隨機存儲器,只讀存儲器,其他存儲器和技術.
2008-08-17 22:29:43
20 隨機靜態存儲器低能中子單粒子翻轉效應:建立了中子單粒子翻轉可視化分析方法，對不同特征尺寸（０．１３～１．５０μｍ）ＣＭＯＳ工藝商用隨機靜態存儲器（ＳＲＡＭ）器件
2009-10-31 14:23:4235 EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
賽普拉斯半導體公司日前宣布推出新的串行非易失性靜態隨機存取存儲器(nvSRAM)，該存儲器具有I2C和SPI接口，可用于儀表、工業和汽車應用
2011-04-06 19:06:011420 同步靜態隨機訪問存儲器SSRAM(Synchronous Static Random Access Memory)，已經廣泛地應用于通信、無線基站、網絡路由交換等需要大容量、高速可靠數據傳輸的領域。隨著通信技術的發展，近年來
2011-07-07 11:47:0461 賽普拉斯半導體公司日前推出了16-Mbit 非易失性靜態隨機訪問存儲器 （nvSRAM） 系列，其中包括具備同步 NAND 閃存接口的器件、16-Mbit 并行、nvSRAM和同步NAND 接口，全新系列包含了支持用于
2012-09-13 12:04:25654 賽普拉斯半導體公司日前宣布，LSI在其用于高性能服務器、工作站和外部存儲器的12Gb/s SAS主機總線適配器（HBA）中，選用了賽普拉斯的并行非易失性靜態隨機存取存儲器（nvSRAM
2013-09-10 10:25:451305 SRAM 1-Mbit (128 K × 8) 串行 SPI nvSRAM，帶實時時鐘
2017-10-10 09:07:0516 關于SRAM隨機存儲器的特點及結構。 SRAM隨機存儲器的特點 隨機存儲器最大的特點就是可以隨時對它進行讀寫操作，但當電源斷開時，存儲信息便會消失。隨機存儲器依照數據存儲方式的不同，主要可以分為動態隨機存儲器（DRAM）與靜態隨機存儲器
2020-04-30 15:48:132878 
SRAM（Static Random Access Memory），即靜態隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據
2020-07-16 10:44:034771 
電子發燒友網站提供《非易失性NVSRAM存儲器的詳細講解.pdf》資料免費下載
2020-11-25 11:12:0025 高云半導體FPGA 產品提供了豐富的塊狀靜態隨機存儲器資源，簡稱塊狀靜態存儲器（B-SRAM）。B-SRAM 在器件內部以行的形式分布，每個B-SRAM 占用3 個CFU 的位置，B-SRAM
2020-12-09 15:31:137 富士通半導體存儲器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機存取存儲器)MB85AS12MT，這是富士通ReRAM產品系列中密度最大的產品。
2022-04-24 16:06:021133 VDSR8M16XS54XX2V12是一種高速存取時間、高密度靜態隨機存取存儲器。該SIP模塊采用VDIC非常密集的SIP技術制造，可堆疊四個4-Mbit SRAM芯片采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）。它被組織為兩個256K×的獨立區塊16位寬數據接口。
2022-06-08 11:53:180 VDSR8M16XS54XX2C12是一款高速、高度集成的產品。靜態隨機存取存儲器8.388.608位。它由兩個4Mbit的銀行組成。
2022-06-08 11:48:581 ，VM）兩大類。例如，人們熟知的閃速存儲器 ( Flash Memory，簡稱 Flash）就屬于 NVM，靜態隨機存取存儲器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動態隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 非易失性靜態隨機存取存儲器 (NVSRAM) 是一種即使斷電也能保留數據的存儲器，提供非易失性存儲。
2023-12-05 10:09:56303 眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產鐵電存儲器PB85RS2MC在數據保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
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