與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源于日本信息通信研究機(jī)構(gòu)等的研究小組開發(fā)出的β-Ga2O3晶體管。下面請這
2012-04-18 08:47:12
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碳化硅（SiC）功率元件正快速在太陽能（PV）逆變器應(yīng)用市場攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性，不僅可較傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體，提供更高的電源轉(zhuǎn)換效率，更可減少所需的電容和感測器數(shù)量，已吸引愈來愈多太陽能逆變器制造商青睞。
2013-06-25 09:25:301676 ` 本帖最后由 列兵老虎 于 2015-12-25 08:21 編輯
一個名為伯努瓦（Gislain）的人，用了3年時間設(shè)計制造出獨特電子鐘給人留下難忘印象。在3毫米厚的有機(jī)玻璃上分別安
2015-12-22 17:28:39
千瓦。更高的功率水平和簡化系統(tǒng)設(shè)計的動力將推動SiC模塊的開發(fā)工作，但是不能過分夸大封裝，控制電路和周圍功率元件的寄生電感優(yōu)化的重要性。 圖6：SiC功率模塊開發(fā)活動的狀態(tài)。藍(lán)色圓圈表示僅具有SiC器件
2023-02-27 13:48:12
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
，而且在高溫條件下的工作也表現(xiàn)良好，可以說是具有極大優(yōu)勢的開關(guān)元件。這張圖是各晶體管標(biāo)準(zhǔn)化的導(dǎo)通電阻和耐壓圖表。從圖中可以看出，理論上SiC-DMOS的耐壓能力更高，可制作低導(dǎo)通電阻的晶體管。目前
2018-11-30 11:35:30
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點
2018-11-29 14:35:23
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與Si相比，它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達(dá)600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
技術(shù)講座“開關(guān)電源電路設(shè)計”電子發(fā)燒友網(wǎng)和半導(dǎo)體應(yīng)用聯(lián)盟作為電子行業(yè)平臺，旨在為電子工程師和電子同行們提供溝通交流、學(xué)習(xí)合作的機(jī)會。電子發(fā)燒友網(wǎng)和半導(dǎo)體應(yīng)用聯(lián)盟攜手電子行業(yè)專家陶顯芳老師為大家?guī)?/div>
2012-02-10 09:21:32
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
DSP技術(shù)講座(電子科大)zyw01-56
2015-01-02 08:41:14
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
IC技術(shù)講座-FPGA
2012-08-12 15:38:27
應(yīng)用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導(dǎo)體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動電壓
2017-09-04 15:02:41
開發(fā)人員了解專門針對物聯(lián)網(wǎng)開發(fā)而優(yōu)化的EFM和EFR系列MCU平臺，我們將針對亞洲地區(qū)于2023年12月12日上午10點（北京時間）在線舉辦全新MCU專題的Tech Talk技術(shù)講座－“EFM和EFR
2023-11-23 13:45:47
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
Altium公司特定于2009年4-5月間舉行全國12城市巡回技術(shù)講座。本次杭州站講座內(nèi)容以全新的深入淺出的方法介紹Altium解決方案；從客戶實際應(yīng)用的角度出發(fā)提出Altium優(yōu)勢和用戶價值；為讓
2009-04-22 10:33:53
Altium公司特定于2009年4-5月間舉行全國12城市巡回技術(shù)講座。本次杭州站講座內(nèi)容以全新的深入淺出的方法介紹Altium解決方案；從客戶實際應(yīng)用的角度出發(fā)提出Altium優(yōu)勢和用戶價值；為讓
2009-04-23 10:49:06
碳化硅（SiC）和硅上氮化鎵（GaN-on-Si）。這兩種突破性技術(shù)都在電動汽車市場中占有一席之地。與Si IGBT相比，SiC提供更高的阻斷電壓、更高的工作溫度（SiC-on-SiC）和更高的開關(guān)
2018-07-19 16:30:38
% 的能源浪費，相當(dāng)于節(jié)省了 100 兆瓦時太陽能和1.25 億噸二氧化碳排放量。
氮化鎵的吸引力不僅僅在于性能和系統(tǒng)層面的能源利用率的提高。當(dāng)我們發(fā)現(xiàn)，制造一顆片氮化鎵功率芯片，可以在生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)減少80
2023-06-15 15:47:44
超低的電阻和電容，開關(guān)速度可提高一百倍。
為了充分利用氮化鎵功率芯片的能力，電路的其他部分也必須在更高的頻率下有效運行。近年加入控制芯片之后，氮化鎵充電器的開關(guān)頻率，已經(jīng)從 65-100kHz，提高到
2023-06-15 15:53:16
大規(guī)模生產(chǎn)功率半導(dǎo)體的晶粒，該晶片的錯位密度小于104/cm2，6英寸晶片傾斜角度分布為0.2度。另外，6英寸的塊狀氮化鎵基板（世界上最大的）也被成功地制造出來。另外，若是采用更大的基材、更多的晶種，也
2023-02-23 15:46:22
材料，將常規(guī)集成電路工藝和微機(jī)械加工獨有的特殊工藝相結(jié)合，全面繼承了氧化、光刻、擴(kuò)散、薄膜、外延等微電技術(shù)，還發(fā)展了平面加『[技術(shù)、體硅腐蝕技術(shù)、固相鍵合技術(shù)、LIGA技術(shù)等，應(yīng)用這些技術(shù)手段制造出層
2019-08-01 06:17:43
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
=rgb(51, 51, 51) !important]與砷化鎵和磷化銦等高頻工藝相比，氮化鎵器件輸出的功率更大；與LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工藝相比，氮化鎵的頻率特性更好。氮化鎵器件的瞬時
2019-07-08 04:20:32
比STM32F103系列性價比更高的MCU有哪些呢？
2021-10-18 06:46:57
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。安森美半導(dǎo)體
2018-10-29 08:51:19
電子發(fā)燒友網(wǎng)近期將舉行一連串的技術(shù)講座，到時將邀請各領(lǐng)域?qū)＜页鱿?b class="flag-6" style="color: red">講座，現(xiàn)向大家調(diào)研，請問大家急需哪方面的講座來提升自己？地點深圳，領(lǐng)域不限，需求人多就采納，免費講座哦，快快投票吧。
2011-09-27 22:43:52
在實際中，能夠像德國一樣制造出直接甲醇燃料電池嗎？如果有樣品，聯(lián)系我。***康永紅
2015-03-10 08:57:30
變頻器技術(shù)講座變頻器使用注意事項1．嚴(yán)禁將變頻器的輸出端子U、V、W連接到AC 電源上。2．變頻器要正確接地，接地電阻小于10Ω。3．變頻器存放兩年以上，通電
2009-12-07 10:27:21
如題啊！如何制造0~50赫茲頻率的無線電波呢？沒有什么專業(yè)的器材，怎么用簡單的,生活上能接觸到的材料制造呢？
2022-01-07 09:32:33
想理解制造出這塊電路板該從哪里入手？要哪些東西 哪里找？
2016-02-25 19:29:34
雙極晶體管性能特點是什么如何采用BiCom3工藝制造出一款功能豐富的電壓反饋放大器？
2021-04-20 06:56:40
。Eon也降低30％左右，因此共可降低77%的開關(guān)損耗。開關(guān)速度比IGBT更高全SiC模塊與IGBT模塊相比，可實現(xiàn)更高速度的開關(guān)。下圖為以5kHz和30kHz驅(qū)動PWM逆變器時的損耗仿真結(jié)果。從仿真
2018-12-04 10:14:32
快看這里，好多關(guān)于節(jié)能和LED的技術(shù)講座~~ http://theme.eccn.com/theme/green_energy/seminar_topic/index.html
2010-06-25 14:42:53
據(jù)國外媒體報道，英國倫敦皇家學(xué)院生物物理和納米技術(shù)小組的科學(xué)家研究出了一種新的納米技術(shù)，該技術(shù)能讓具有納米結(jié)構(gòu)的物質(zhì)把光線散射成不同的顏色而形成彩虹。這種納米結(jié)構(gòu)能夠使金屬表面的不同位置捕獲不同波長
2013-09-17 17:09:20
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無法實現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
，損耗更低，高溫環(huán)境條件下工作特性優(yōu)異，有望成為新一代低損耗元件。②SiC功率元器件SiC是在熱、化學(xué)、機(jī)械方面都非常穩(wěn)定的化合物半導(dǎo)體，對于功率元器件來說的重要參數(shù)都非常優(yōu)異。作為元件，具有優(yōu)于Si
2017-07-22 14:12:43
(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀(jì)60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物，氮化鎵的熔點超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器方面的優(yōu)勢。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢，高頻 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器是業(yè)內(nèi)隔離式
2023-02-27 09:37:29
時間。
更加環(huán)保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運輸環(huán)節(jié)產(chǎn)生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
的數(shù)十億次的查詢，便可以獲得數(shù)十億千瓦時的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計到2030年
2019-03-14 06:45:11
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
，第四代氮化鎵(如圖2)有望制造出在絕對 $/W 上比 LDMOS 更具成本效益的基于氮化鎵的器件，更不用說其在系統(tǒng)層面上的優(yōu)勢;在量產(chǎn)層面上，第四代氮化鎵能夠提供比性能相仿但更加昂貴的碳化硅基氮化鎵
2017-08-15 17:47:34
它能處理多大的功率？這是對發(fā)射機(jī)中的大多數(shù)元件不可避免要問的一個問題，而且通常問的是無源元件，比如濾波器、耦合器和天線。但隨著微波真空管（如行波管（TWT））和核心有源器件（如硅橫向擴(kuò)散金屬氧化
2019-06-21 08:03:27
高壓硅二極管具有低正向傳導(dǎo)壓降，但由于其反向恢復(fù)行為，會在功率轉(zhuǎn)換器中造成顯著的動態(tài)損耗。與硅相比，SiC二極管的反向恢復(fù)行為可以忽略不計，但確實表現(xiàn)出更高的體電容和更大的正向傳導(dǎo)降。由于砷化鎵技術(shù)
2023-02-22 17:13:39
成本方面，采用新技術(shù)可以為汽車制造商節(jié)省很多金錢。” 他的理由是：當(dāng)采用SiC時，開關(guān)頻率可以設(shè)計得更高，這將提高器件的能效，降低無源元件的尺寸和成本，因為無源器件在應(yīng)用系統(tǒng)總成本中占比很高。此外，當(dāng)
2023-02-27 14:28:47
【萬物互聯(lián)·智引未來】 第七屆華清遠(yuǎn)見-ARM聯(lián)合大型技術(shù)講座，線上直播火爆開啟。重磅嘉賓：ARM中國高級技術(shù)專家、北大應(yīng)用工程師、華清遠(yuǎn)見技術(shù)總監(jiān)、AI技術(shù)導(dǎo)師親臨現(xiàn)場傳道授業(yè) 。精彩主題：ARM
2018-05-29 10:52:31
`由華清遠(yuǎn)見教育集團(tuán)聯(lián)手ARM公司共同舉辦的“華清遠(yuǎn)見-ARM全國巡回技術(shù)講座暨2016全國大學(xué)生智能互聯(lián)創(chuàng)新大賽賽前培訓(xùn)”正式開啟！本屆華清遠(yuǎn)見-ARM全國巡回技術(shù)講座嘉賓團(tuán)陣容十分強(qiáng)大，內(nèi)容也
2016-05-18 14:40:10
第六屆華清遠(yuǎn)見-ARM全國巡回技術(shù)講座暨2016全國大學(xué)生智能互聯(lián)創(chuàng)新大賽賽前培訓(xùn)正式開啟！也許，你還在為畢業(yè)設(shè)計而發(fā)愁嘛!也許，你還在忙著收集各種資料，看著眼前一大堆零件，而無從下手嘛？也許，你
2016-04-25 14:16:36
本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12
芯片是怎樣制造出來的？有哪些過程呢？
2021-10-25 08:52:47
今天突然有個問題單片機(jī)，ARM是怎么制造出來的？哪位高手能簡單講講制造過程嗎？還有一個問題，從電腦往單片機(jī)里面下載程序是二進(jìn)制代碼，這些進(jìn)入單片機(jī)高低電平在起了什么作用，把單片機(jī)內(nèi)部的電路進(jìn)行了怎樣的改變
2020-07-13 10:40:11
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中，長期擔(dān)任副總裁及更高級別的管理職位，并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
專案執(zhí)行分為三個主要階段：規(guī)范和用例定義，技術(shù)開發(fā)，原型展示研發(fā)。WINSIC4AP項目中的SIC技術(shù)制造SiC元件需要使用專用生產(chǎn)線，系因半導(dǎo)體的物理特性（摻雜劑的極低擴(kuò)散性和晶格的復(fù)雜性），以及
2019-06-27 04:20:26
晶體生長”技術(shù)來生產(chǎn)β-氧化鎵晶圓，雜貨店結(jié)賬用的條形碼掃描儀上的藍(lán)寶石窗口就是這樣制造的。如今，甚至可以使用可高度擴(kuò)展的垂直坩堝下降（Bridgman-Stockbarger）技術(shù)生長晶體。 這與
2023-02-27 15:46:36
Internet IIS 技術(shù)講座(HTML):Microsoft Internet Information Server 的 Installation and Administration Guide 為用戶提供安裝和規(guī)劃 Web 節(jié)點所需要的信息。本書還提供了關(guān)于下列主題的信息： 配置您的
2009-01-06 13:31:47
18 開關(guān)電源技術(shù)講座
2009-08-08 09:20:4373 電子電能表與電能測量技術(shù)講座--電力用戶自動抄表系統(tǒng)
綜合介紹電力用戶自動抄表系統(tǒng)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、采集終端、集中器和相關(guān)的通信信道。
2009-10-13 19:04:131608 
臺灣科學(xué)家以水熱法制造出白光LED
據(jù)臺灣媒體報道，臺灣的科學(xué)家最近以氧化鋅（ZnO）/藍(lán)光有機(jī)材料復(fù)合薄膜，制作出白光發(fā)光
2009-12-12 11:12:08668 電子信息工程新技術(shù)講座 移動通信和網(wǎng)絡(luò)技術(shù)專題 提綱 GSM系統(tǒng)概述 寬帶無線通信網(wǎng)絡(luò)技術(shù)：WiMAX、Wi-Fi、3G （TDSCDMA、CDMA2000、WCDMA)、LTE 4G Requirements and Next Generation Wireless Trends
2011-03-16 17:50:510 由電子發(fā)燒友網(wǎng)和半導(dǎo)體應(yīng)用聯(lián)盟聯(lián)合主辦的“開關(guān)電源電路設(shè)計要點與調(diào)試”技術(shù)講座于2月25號圓滿結(jié)束。此次技術(shù)講座邀請到電源行業(yè)專家陶顯芳老師為電子工程師們講解開關(guān)電源
2012-02-28 14:36:401595 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《關(guān)于安富利嵌入式系統(tǒng)中的低功耗無線技術(shù)講座的PPT.pdf》資料免費下載
2017-04-18 11:29:000 TI MCU Design Days 2014 技術(shù)講座實錄
2015-11-16 19:00:450 交流永磁伺服系統(tǒng)技術(shù)講座_數(shù)控機(jī)床電氣控制_緒論。
2016-04-26 10:41:1316 交流永磁伺服系統(tǒng)技術(shù)講座第二講伺服系統(tǒng)的組成_一_
2016-04-26 10:41:137 交流永磁伺服系統(tǒng)技術(shù)講座第六講_八_交流永磁伺服系統(tǒng)的控制策略。
2016-04-26 10:47:0820 TI MCU 與無線連接技術(shù)研討會技術(shù)講座實錄
2017-09-20 09:28:565 MSP430單片機(jī)實用技術(shù)講座之鍵盤顯示應(yīng)用
2017-10-12 10:04:017 Thread/BLE雙模技術(shù)講座
2017-10-16 15:38:3713 Thread/BLE雙模的技術(shù)講座
2017-10-19 09:01:501 瑞薩電子在北京賽區(qū)舉辦一場瑞薩電子技術(shù)研討會，本視頻為瑞薩電子模擬器件技術(shù)講座。
2018-06-14 01:15:004038 
STM32F0產(chǎn)品技術(shù)講座：第一節(jié) 內(nèi)核
2018-07-05 00:15:003660 DARPA的電子復(fù)興計劃重金資助麻省理工學(xué)院Max Shulaker牽頭的一個項目，該項目的目標(biāo)是利用單片3D集成技術(shù)，來使以用了數(shù)十年之久的舊制造工藝制造出來的芯片能與以目前最先進(jìn)的技術(shù)所制造出來的芯片相媲美。
2018-08-16 08:54:525132 刷電路板的制作非常復(fù)雜， 這里以四層印制板為例感受PCB是如何制造出來的。
2018-11-03 10:19:0413143 關(guān)鍵詞：LED燈泡 , 技術(shù)講座 , 噪聲 技術(shù)講座：LED燈泡的噪聲對策.pdf(2.35 MB, 下載次數(shù): 0) 2012-2-23 19:00:19 上傳 下載次數(shù): 0 下載積分: 積分
2019-03-09 15:01:01519 
咱們看一下汽車是怎樣制造出來的。
2019-06-17 16:59:045956 美國弗吉尼亞理工大學(xué)的研究人員采用3D打印技術(shù)制造出一種壓電常數(shù)可調(diào)的壓電超材料，有望用于下一代智能基礎(chǔ)設(shè)施。
2019-11-28 16:19:504179 方面取得突破，通過先進(jìn)的3D打印技術(shù)制造出液壓元件。 一直以來，AidroHydraulics公司都將3D打印技術(shù)視為未來發(fā)展的好選擇，并在近幾年，將3D打印技術(shù)大力引入產(chǎn)品智造當(dāng)中，其中典型的便是
2020-03-18 10:07:13935 據(jù)外媒報道，現(xiàn)在人們不可能完全否定掉電子游戲和圍繞它們的技術(shù)。不僅因為這項技術(shù)非常酷，還因為這項技術(shù)正開始滲透到人們生活的許多其他領(lǐng)域，比如說汽車行業(yè)。以沃爾沃為例。當(dāng)?shù)貢r間周四，這家瑞典汽車制造商詳細(xì)介紹了如何使用最新的視頻游戲技術(shù)制造出更安全的汽車。
2020-11-20 11:59:421709 當(dāng) ADC 技術(shù)已經(jīng)在最大采樣率方面達(dá)到限制時，示波器廠商如何制造出具有更高采樣率的示波器？追求更高采樣率或許只是想滿足示波器用戶對于“越高越好”的認(rèn)知，或者用戶認(rèn)為若要獲得更高的帶寬實時示波器測量效果，實際上可能需要更高的采樣率。
2021-04-07 17:16:373569 
開關(guān)電源技術(shù)講座(英文PDF 30) by national semi.pdf(電感在電源電路中的應(yīng)用)-Switching Power SupplyFundamentals for theSystem Designer
2021-07-26 14:37:1820 什么是芯片?芯片是導(dǎo)體元件產(chǎn)品的統(tǒng)稱，是集成電路的一個載體。芯片作為半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心科技產(chǎn)物，在多個領(lǐng)域有著至關(guān)重要的位置。那么芯片是如何制造出來的呢?接下來給大家簡單介紹下芯片制造流程。
2022-01-04 19:12:5813469 GaN為橫向組件，生長在不同基板上，例如SiC或Si基板，為異質(zhì)磊晶技術(shù)，生產(chǎn)出來的GaN薄膜品質(zhì)較差，雖然目前能應(yīng)用在快充等民生消費領(lǐng)域，但用于電動車或工業(yè)上則有些疑慮，同時也是廠商極欲突破的方向。
2022-12-07 15:58:181959 Silicon Labs （亦稱“芯科科技”）亞太區(qū)技術(shù)講座（ APAC Tech Talks ）持續(xù)推出新主題！ 11 月 21 日上午 10 點（北京 / 臺北 / 香港時間） 將展開藍(lán)牙
2023-11-13 18:05:02168 
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