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電子發燒友網>汽車電子>基于EconoDUAL 3設計的600A/1200V汽車驅動

基于EconoDUAL 3設計的600A/1200V汽車驅動

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2017-05-17 15:03:204475

高頻應用的高能效 新一代1200V TRENCHSTOP IGBT6發布

新一代1200V TRENCHSTOP? IGBT6專門針對開關頻率在15kHz以上的硬開關和諧振拓撲而設計,可滿足其對更高能效以及更低導通損耗和開關損耗的要求.
2018-07-11 11:28:574836

深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET

ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(相比第二代)ROHM第三代設計應用于650V和1200V產品之中,包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET,并利用光學顯微鏡和掃描電鏡研究復雜的碳化硅溝槽結構。
2018-08-20 17:26:299042

ROHM新推基于AEC-Q101標準的四款車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”

ROHM新推出四款支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產品。
2019-05-13 18:30:571418

羅姆推車用級1200V耐壓IGBT 應對電動汽車需求

據外媒報道,最近,日本羅姆半導體公司(ROHM)宣布新增兩款車用級1200V耐壓絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),此類晶體管非常適合用于電子壓縮機內的逆變器,以及正溫度系數(PTC)加熱器中的開關電路。
2019-05-27 08:41:501493

滿足AEC-Q101標準的車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)新推出四款支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產品。
2019-05-29 15:15:504947

Power Integrations推出汽車級門極驅動器,采用FluxLink通信技術

深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations推出適合額定電壓750V IGBT的汽車級SID1181KQ SCALE-iDriver?門極驅動器。繼推出1200V SID1182KQ驅動器IC之后,新器件擴展了公司的汽車驅動器IC的范圍。
2020-01-16 09:31:002755

英飛凌率先推出1200V碳化硅IPM的CoolSiC

英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出了1200V碳化硅(SiC)集成功率模塊(IPM),并在今年大規模推出了SiC解決方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:513428

比亞迪半導體成功自主研發并量產1200V功率器件驅動芯片BF1181

近期,比亞迪半導體基于先前研發成果的穩固基礎上,繼續整合自身優勢,成功自主研發并量產1200V功率器件驅動芯片——BF1181,今年12月實現向各大廠商批量供貨。
2021-12-16 10:52:452719

東芝新推出的1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊

?東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”;額定電壓為1700V、額定
2022-02-01 20:22:024606

比亞迪半導體全新推出1200V 1040A SiC功率模塊

作為國內首批自主研發并量產應用SiC器件的公司,在SiC功率器件領域,比亞迪半導體于2020年取得重大技術突破,重磅推出首款1200V 840A/700A三相全橋SiC功率模塊,并已實現在新能源汽車高端車型電機驅動控制器中的規模化應用。
2022-06-21 14:40:571216

瞻芯電子1200V大電流MOSFET獲車規級認證

值得一提的是,這款TO247-4封裝的產品通過AEC-Q101認證,同時表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片,也滿足車規級可靠性標準。該晶圓正面還可以采用鎳鈀金,如下圖,支持雙面散熱封裝,可進一步突破傳統單面封裝的功率密度極限。
2022-11-08 14:45:16875

RGS系列:支持AEC-Q101的車載用1200V耐壓IGBT

ROHM新開發的“RGS系列”是滿足汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號,傳導損耗非常低,非常有助于應用的小型化與高效化。
2023-02-09 10:19:23457

1200V耐壓、400A/600A的全SiC功率模塊BSM400D12P3G002和BSM600D12P3G001

ROHM面向工業設備用電源、太陽能發電功率調節器及UPS等的逆變器、轉換器,開發出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:05595

實現大電流化的技術要點

轉換器,開發出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:05171

英飛凌推1200V SOI半橋柵極驅動器2ED132xS12x系列

EiceDRIVER SOI系列誕生了首批1200V SOI半橋產品,用于高功率應用,如商用HVAC、熱泵、伺服驅動器、工業變頻器、泵和風機(高達10kW)。
2023-05-18 16:18:24317

新品 | 1200V低阻值CoolSiC? MOSFET產品

提高。封裝采用.XT互連技術,最新的CoolSiCMOSFET具有一流的熱耗散性能。產品規格:1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封裝CoolSiC12
2022-04-20 09:56:20594

新品 | EiceDRIVER? 0.35A/0.65A 1200V SOI技術的三相柵極驅動

新品EiceDRIVER0.35A/0.65A1200VSOI技術的三相柵極驅動器EiceDRIVER1200V三相柵極驅動器,典型的0.35A源電流和0.65A灌電流。其采用DSO-24引腳封裝
2023-02-22 11:11:49569

新品 | 帶有集成自舉二極管和OCP的1200V半橋柵極驅動器2ED132xS12x系列

新品帶有集成自舉二極管和OCP的1200V半橋柵極驅動器2ED132xS12x系列帶有集成自舉二極管和過流保護OCP的1200VSOI半橋柵極驅動器2ED132xS12x系列產品型號:2ED1321S12M2ED1322S12M2ED1323S12P2ED1324S12PEiceDRIVERSOI系列誕生了首批1200VSOI半橋產品,用于高功率應用,如商用
2023-05-18 09:42:01718

士蘭微電子推出高性能汽車驅動模塊—600A/1200V IGBT模塊

汽車驅動產品來實現“充電五分鐘續航百公里”的效果。 ? 針對這一需求,士蘭微電子近期推出了一款高性能的汽車驅動模塊——600A/1200V IGBT模塊(B3模塊), 它能夠提升新能源汽車充電速度和行駛動力,為用戶帶來更高的效率和更好
2023-06-20 11:36:48735

1200V高壓硅基氮化鎵功率器件動態特性實測

在此方向上,青桐資本項目伙伴「量芯微半導體(GaNPower)」(以下簡稱「量芯微」)在全球范圍內率先實現1200V 硅基GaN HEMT的商業化量產,并于近日與泰克科技(Tektronix Inc.)合作進行了器件測試。
2023-07-19 16:37:301370

用于高速開關應用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET

增強型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊,采用PressFIT壓接式安裝技術和溫度檢測NTC,并有使用預涂的熱界面材料(TIM)版本。
2023-07-28 14:22:44231

新品 | 用于高速開關應用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET

NTC,并有使用預涂的熱界面材料(TIM)版本。產品型號:FF17MR12W1M1H_B1117mΩ1200VFF17MR12W1M1H_B7017mΩ1200V
2023-07-31 16:57:59584

士蘭微推出600A/1200V IGBT汽車驅動模塊,提升充電速度與行駛動力

隨著人們對環保意識的提高和汽車駕駛體驗感的不斷追求,新能源汽車的市場需求逐漸增大,已然成為汽車發展的大趨勢,但是新能源汽車充電時間長、續航里程短等問題仍然是汽車廠商和車主們的痛點。因此,需要更好的汽車驅動產品來實現“充電五分鐘續航百公里”的效果。
2023-09-07 16:50:29625

凌銳半導體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐SiC MOS

2023年10月,凌銳半導體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產品性能優異,開關損耗更低、柵氧質量更好、而且兼容15V和18V驅動,能夠滿足高可靠性、高性能的應用需求。
2023-10-20 09:43:26488

國星光電的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車規級認證

1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規級認證后
2023-10-25 18:28:10424

Qorvo發布1200V碳化硅模塊

全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置,其導通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。這一創新產品系列專為電動汽車充電站、儲能系統、工業電源和太陽能應用而設計。
2024-03-06 11:43:19283

蓉矽半導體1200V SiC MOSFET通過車規級可靠性認證

蓉矽半導體近日宣布,其自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET產品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導體在功率半導體領域的技術實力,也進一步證明了其產品在新能源汽車、光伏逆變等高端應用領域的強大競爭力。
2024-03-12 11:06:30228

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