日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都)開發(fā)出耐壓40V的功率MOSFET ，最適合用于以工業(yè)設(shè)備和車載領(lǐng)域?yàn)橹行牡摹⑤斎腚妷?4V的DC/DC轉(zhuǎn)換器。
2012-08-08 09:18:23
1142 Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381451 最新一代面向汽車應(yīng)用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅(jiān)固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
2023-06-06 11:01:361028 
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET
2023-09-04 15:13:401134 
鋰電池應(yīng)用領(lǐng)域電池主要應(yīng)用在消費(fèi)類產(chǎn)品、數(shù)碼類產(chǎn)品、動(dòng)力產(chǎn)品、醫(yī)療和安防等。鋰電池保護(hù)板 MOS管選型以下為30V、40V、60V、80V、100V MOS管選型表，電流、內(nèi)阻覆蓋密集，重點(diǎn)發(fā)展領(lǐng)域
2020-10-09 14:25:10
電流峰值限流、過溫保護(hù)等。SL3063外圍電路簡(jiǎn)單，封裝采用SOP8。應(yīng)用范圍高電壓功率轉(zhuǎn)換電動(dòng)車車載設(shè)備汽車系統(tǒng)平衡車電池供電系統(tǒng)工業(yè)電力系統(tǒng)應(yīng)用電路
2022-05-23 09:31:25
型號(hào):HC080N06LS【06N06】絲印：HC606參數(shù)：60V 6A 類型：N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 溝槽型內(nèi)阻72mR低結(jié)電容435pF 封裝：SOT23-3低開啟電壓1.8V廣泛用于車燈照明、車載
2021-03-08 16:42:08
本帖最后由 深圳市巴丁微電子 于 2016-11-7 15:51 編輯
BD8153是一款由深圳市巴丁微電子有限公司推出的輸入耐壓可達(dá)40V的降壓式DC/DC驅(qū)動(dòng)電路，能夠?qū)崿F(xiàn)精確的恒流以及
2016-10-31 15:03:46
意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動(dòng)系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機(jī)械、環(huán)境和電氣要求。 這些機(jī)電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
安全保護(hù)機(jī)制包括逐周期電流峰值限流、過溫保護(hù)等。SL3061外圍電路簡(jiǎn)單，封裝采用SOP8。
產(chǎn)品特點(diǎn):● 最大2.5A輸出電流● 6V至40V寬工作電壓范圍● 內(nèi)置功率MOSFET
2023-11-13 15:24:19
MOSFET140KHZ-500KHZ頻率可調(diào)過溫保護(hù)逐周期過流保護(hù)＞90%的效率低功耗輸出電壓可調(diào)采用SOP8封裝應(yīng)用高電壓功率轉(zhuǎn)換電動(dòng)車車載設(shè)備電池供電系統(tǒng)工業(yè)電力系統(tǒng)汽車系統(tǒng)平衡車電路
2022-05-31 10:36:57
通過向柵極施加正電壓來控制漏極電流。N 溝道場(chǎng)效應(yīng)管N 溝道 MOSFET 的 N溝道區(qū)域位于源極和漏極之間。它是一個(gè)四端子器件，具有以下端子：柵極、漏極、源極和主體。這種類型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極和源極
2023-02-02 16:26:45
），基本原則就是在保證功率MOS管的溫升和系統(tǒng)效率的前提下，選取參數(shù)和封裝更通用的功率MOS管。小到選N型還是P型、封裝類型，大到MOSFET的耐壓、導(dǎo)通電阻等，不同的應(yīng)用需求千變?nèi)f化，工程師在選擇
2023-02-17 14:12:55
`N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征該TDM3550采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)◆40V/ 100A[tr]提供優(yōu)異的RDS（ON）和低門電荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
東芝推出了TZ1041MBG，希望滿足市場(chǎng)對(duì)能夠支持多個(gè)外部傳感器的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備日益增長(zhǎng)的需求，其提供一個(gè)利用藍(lán)牙的擴(kuò)展集線器功能的多功能通信環(huán)境。
2020-05-18 06:20:47
。TB9083FTG這款新產(chǎn)品能夠控制和驅(qū)動(dòng)用于驅(qū)動(dòng)3相直流無刷電機(jī)的外置N溝道功率MOSFET。它非常適合用于滿足ISO 26262功能安全性標(biāo)準(zhǔn)第二版 ^[2]^ 的要求，并支持ASIL-D ^[3]^ 用于高安
2023-02-28 14:11:51
，合適于功率MOSFET的應(yīng)用。這種結(jié)構(gòu)稱為垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散MOS結(jié)構(gòu)VDMOSFET（Vertical Double Diffused MOSFET）。N溝道MOSFET襯底為高摻雜的N+襯底，高摻雜溝道
2016-10-10 10:58:30
到 40V 以上； ★內(nèi)部集成功率 MOSFET，外圍器件少，系統(tǒng)成本低； ★內(nèi)置輸入過壓保護(hù)、過溫保護(hù)、過流保護(hù)、短路保護(hù)全套可靠性保護(hù)電路，可靠性高； ★IC 內(nèi)部集成 CC/CV 環(huán)路，CC
2015-12-18 11:36:06
兼容到 40V 以上； ★內(nèi)部集成功率 MOSFET，外圍器件少，系統(tǒng)成本低； ★內(nèi)置輸入過壓保護(hù)、過溫保護(hù)、過流保護(hù)、短路保護(hù)全套可靠性保護(hù)電路，可靠性高； ★IC 內(nèi)部集成 CC/CV 環(huán)路，CC
2015-12-10 14:10:17
車載吸塵器MOS DFN3333小封裝 低內(nèi)阻 原廠直銷東莞市惠海半導(dǎo)體有限公司研發(fā)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)銷售高品質(zhì)價(jià)格有優(yōu)勢(shì)的低結(jié)電容、低內(nèi)阻MOS管 。HC3039D中壓MOS:30V，N溝道，大電流，小封裝
2020-06-08 15:02:21
的需求將更加激烈。車載用電子元器件中動(dòng)作溫度-40～+125℃，根據(jù)場(chǎng)合不同也可達(dá)到+150℃。http://www.kaiyuexiang.com/index.aspx 追求速度和效率的車載用時(shí)鐘晶振的小型化、高精度、高信賴性包括成本都將根據(jù)顧客的需求進(jìn)行開發(fā)，最大程度提高客戶滿意度。`
2017-06-07 15:20:15
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
到 40V 以上； ★內(nèi)部集成功率 MOSFET，外圍器件少，系統(tǒng)成本低； ★內(nèi)置輸入過壓保護(hù)、過溫保護(hù)、過流保護(hù)、短路保護(hù)全套可靠性保護(hù)電路，可靠性高； ★IC 內(nèi)部集成 CC/CV 環(huán)路，CC
2016-01-28 16:44:20
到 40V 以上； ★內(nèi)部集成功率 MOSFET，外圍器件少，系統(tǒng)成本低； ★內(nèi)置輸入過壓保護(hù)、過溫保護(hù)、過流保護(hù)、短路保護(hù)全套可靠性保護(hù)電路，可靠性高； ★IC 內(nèi)部集成 CC/CV 環(huán)路，CC
2016-02-02 10:39:50
到 40V 以上； ★內(nèi)部集成功率 MOSFET，外圍器件少，系統(tǒng)成本低； ★內(nèi)置輸入過壓保護(hù)、過溫保護(hù)、過流保護(hù)、短路保護(hù)全套可靠性保護(hù)電路，可靠性高； ★IC 內(nèi)部集成 CC/CV 環(huán)路，CC
2016-01-05 16:04:10
的要求。鈺泰ETA9698具備如下特點(diǎn)：1、輸入耐壓高達(dá)40V，適應(yīng)車載、快充和PD等市場(chǎng)的高耐壓要求；2、輸出5V常開，待機(jī)功耗小于3μA，真正的超低功耗；3、充電電流靈活可調(diào)，最大1A，適用各種電
2021-06-07 08:52:18
/>【正文快照】：IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。這些新的功率MOSFET采用IR最先進(jìn)的硅
2010-05-06 08:55:20
概述：MAX1553能夠以恒定電流驅(qū)動(dòng)串聯(lián)的白色LED，為蜂窩電話、PDA及其它手持設(shè)備提供高效的顯示器背光驅(qū)動(dòng)。這款升壓轉(zhuǎn)換器內(nèi)部包含一個(gè)40V、低RDSON的N溝道MOSFET開關(guān)，可提高效率、延長(zhǎng)電池壽命。
2021-04-21 07:38:25
概述：MAX1554能夠以恒定電流驅(qū)動(dòng)串聯(lián)的白色LED，為蜂窩電話、PDA及其它手持設(shè)備提供高效的顯示器背光驅(qū)動(dòng)。這款升壓轉(zhuǎn)換器內(nèi)部包含一個(gè)40V、低RDSON的N溝道MOSFET開關(guān)，可提高效率
2021-05-18 06:06:09
。OC5820 采用 ESOP8 封裝，且外圍元器件少。特點(diǎn)? 2.5A 的峰值輸出電流? 40V/3A 的內(nèi)部功率 MOSFET? 效率高達(dá) 93%? 頻率可調(diào)? 熱關(guān)斷? 逐周期過流保護(hù)? 寬輸入電壓范圍：6
2022-01-13 09:35:22
SL4421-60V-7ASOP-8封裝P溝道供應(yīng)【55V MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL413 -40V-20A 3
2020-05-27 10:58:52
柵極電壓低于10V時(shí)，二極管電壓鉗位于各種漏極電流水平。在非線性曲線中見到的彎曲是二極管和歐姆區(qū)之間的轉(zhuǎn)變點(diǎn)。圖6：施加?xùn)艠O電壓時(shí)，N溝道MOSFET工作在第三象限的典型特性表1對(duì)N溝道MOSFET和P溝道MOSFET進(jìn)行了比較。表1：N溝道和P溝道MOSFET的比較
2018-03-03 13:58:23
一般說明PW6513系列是一款高精度，高輸入電壓，低靜態(tài)電流，高速，低具有高紋波抑制的線性穩(wěn)壓器。輸入電壓高達(dá)40V，負(fù)載電流為在電壓=5V和VIN=7V時(shí)高達(dá)300mA。該設(shè)備采用BCD工藝制造
2020-12-17 18:16:33
2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道SL4884 40V10ASOP-8封裝N溝道 【40V
2020-06-13 11:47:55
溝道【55V MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝
2020-06-19 10:57:37
SL4421-60V-7ASOP-8封裝P溝道【55V MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道
2020-06-05 10:20:57
P溝道【55V MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V
2020-06-20 10:04:16
N溝道SL4421-60V-7ASOP-8封裝P溝道【55V MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道
2020-06-20 10:05:27
支持最大2.5A的輸出電流，可以滿足大部分電源應(yīng)用的需求。
該芯片的最大特點(diǎn)是其降壓能力，可以將40V的輸入電壓降至12V或5V，具有非常廣泛的應(yīng)用范圍。由于其精度高、穩(wěn)定性好、響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)
2023-12-12 16:11:08
【55V MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道
2020-06-20 10:11:31
`SL3402 30V4A 40毫歐SOT23-3LSL3402 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 30V4A的功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力中低
2020-06-22 10:53:25
N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道SL4884
2020-06-22 11:03:37
MOS管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道
2020-06-24 10:37:08
管 N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道
2020-06-24 10:39:23
N溝道】SL342255V2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道SL4884
2020-06-24 10:40:54
溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道SL4884 40V10ASOP-8封裝N溝道 【40V MOS管 N溝道
2020-06-09 10:36:41
2.1A SOT23-3L封裝N溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL413 -40V-20A 3 TO-252封裝 P溝道SL4185-40A-44A TO-252封裝 P溝道
2020-07-27 17:15:08
溝道【40V MOS管 N/P溝道】SL448040V13ASOP-8封裝N溝道SL418440V60ATO-252封裝 N溝道SL4884 40V10ASOP-8封裝N溝道 【40V MOS管 N
2020-06-10 14:31:13
`SUN2310SGP溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET） ，采用高單元密度的 DMOS 溝道技術(shù)。這種高密度的工藝特別適用于減小導(dǎo)通電阻。適用于低壓應(yīng)用，例如移動(dòng)電話，筆記本電腦的電源管理和其他電池的電源電路。 采用帶散熱片的 SOP8 封裝`
2011-05-17 10:57:36
40V同步整流芯片國(guó)內(nèi)首家 小封裝SOT-23 mk100大電流降壓IC高壓大電流小封裝 同步整流芯片mk100 SOT23小封裝 0.6A大電流 40V高壓大功率同步整流芯片mk100
2015-09-18 12:02:41
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
的36V提高到40V。車燈控制單元的耐壓需求因用戶的不同而有所不同，但通過此次改善， 該產(chǎn)品可應(yīng)用于所有的車型。4，通過小型封裝保持低發(fā)熱特性 采用和以往產(chǎn)品一樣實(shí)現(xiàn)小型封裝（JEDEC 5pin
2009-02-09 13:23:48
采用 ESOP8 封裝，且外圍元器件少。特點(diǎn)? 2A 的峰值輸出電流? 40V/3A 的內(nèi)部功率 MOSFET? 低 ESR 陶瓷電容輸出穩(wěn)定? 效率高達(dá) 96%? 頻率可調(diào)? 熱關(guān)斷? 逐周期過流保護(hù)
2020-11-20 11:55:05
機(jī)制包括逐周期電流峰值限流、過溫保護(hù)等。SL3061外圍電路簡(jiǎn)單，封裝采用SOP8。特點(diǎn)最大2.5A輸出電流6V至40V寬工作電壓范圍內(nèi)置功率MOSFET140KHZ-500KHZ頻率可調(diào)過溫保護(hù)逐周期
2022-06-10 15:16:08
TO-252 N溝道 MOS管30V 85A TO-252 N溝道 MOS管 【40V MOS N溝道】40V 10A SOP8 N溝道 MOS管【60V MOS N溝道】60V 3A SOT23 N
2020-11-02 16:02:10
ESOP8 封裝，且外圍元器件少。特點(diǎn)? 2A 的峰值輸出電流? 40V/3A 的內(nèi)部功率 MOSFET? 低 ESR 陶瓷電容輸出穩(wěn)定? 效率高達(dá) 96%? 頻率可調(diào)? 熱關(guān)斷? 逐周期過流保護(hù)
2021-12-09 09:25:14
應(yīng)用中，都會(huì)選取多管并聯(lián)的方式。如果不能采用多管并聯(lián)，除了選取性能更優(yōu)異的功率MOSFET，另外可以采用更大尺寸的封裝或新型封裝，例如在一些AC/DC電源中將TO220改成TO247封裝；在一些通信系統(tǒng)
2019-04-04 06:30:00
新型車載影音系統(tǒng)的工作原理是什么？如何去設(shè)計(jì)一種新型車載影音系統(tǒng)？
2021-05-12 06:46:11
性價(jià)比的恒壓恒流降壓型DC-DC產(chǎn)品主要特點(diǎn)-完美的車載充電器方案-輸入耐壓可達(dá)40V -內(nèi)置85mΩ高位NMOS可輸出3.5A電流-內(nèi)置高精度恒流以及恒壓控制環(huán)路-超高恒流精度 ±3%-恒壓精度 ±1.5
2016-11-13 15:02:42
針對(duì)車載充電的全系列全集成方案芯片，內(nèi)部集成過熱保護(hù)、過流保護(hù)、輸入過壓保護(hù)、短路保護(hù)等全套可靠性保護(hù)電路，系統(tǒng)最大輸出電流達(dá)到 4.2A ，輸入電壓最高支持到 45V ，轉(zhuǎn)換效率高，外圍元器件少
2016-04-29 09:56:58
針對(duì)車載充電的全系列全集成方案芯片，內(nèi)部集成過熱保護(hù)、過流保護(hù)、輸入過壓保護(hù)、短路保護(hù)等全套可靠性保護(hù)電路，系統(tǒng)最大輸出電流達(dá)到 4.2A ，輸入電壓最高支持到 45V ，轉(zhuǎn)換效率高，外圍元器件少
2016-05-20 09:29:59
針對(duì)車載充電的全系列全集成方案芯片，內(nèi)部集成過熱保護(hù)、過流保護(hù)、輸入過壓保護(hù)、短路保護(hù)等全套可靠性保護(hù)電路，系統(tǒng)最大輸出電流達(dá)到 4.2A ，輸入電壓最高支持到 45V ，轉(zhuǎn)換效率高，外圍元器件少
2016-06-08 10:23:40
特性。施加?xùn)艠O電壓時(shí)，根據(jù)VGS的值會(huì)產(chǎn)生非線性曲線。當(dāng)VGS超過10V時(shí)，N溝道MOSFET完全在第三象限歐姆區(qū)內(nèi)工作。然而，當(dāng)柵極電壓低于10V時(shí)，二極管電壓鉗位于各種漏極電流水平。在非線性曲線中
2021-04-09 09:20:10
導(dǎo)讀：近日，德州儀器 （TI） 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封裝的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 輸入電壓，進(jìn)一步壯大了 TI 普及型 NexFET 產(chǎn)品
2018-11-29 17:13:53
保護(hù)機(jī)制包括逐周期電流峰值限流、過溫保護(hù)等。SL3061外圍電路簡(jiǎn)單，封裝采用SOP8。產(chǎn)品特點(diǎn)最大2.5A輸出電流6V至40V寬工作電壓范圍內(nèi)置功率MOSFET140KHZ-500KHZ頻率可調(diào)過溫
2022-05-20 14:12:46
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
在小尺寸器件中驅(qū)動(dòng)更高功率得益于半導(dǎo)體和封裝技術(shù)的進(jìn)步。一種采用頂部散熱標(biāo)準(zhǔn)封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32:55
電流值。AON6590(40V，0.99mΩ)電流連續(xù)漏極電流ID脈沖漏極電流IDM連續(xù)漏極電流IDSM雪崩電流IAS 1 連續(xù)漏極電流ID連續(xù)漏極電流在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中標(biāo)示為電流ID，對(duì)于
2016-08-15 14:31:59
到 40V 以上； ★內(nèi)部集成功率 MOSFET，外圍器件少，系統(tǒng)成本低； ★內(nèi)置輸入過壓保護(hù)、過溫保護(hù)、過流保護(hù)、短路保護(hù)全套可靠性保護(hù)電路，可靠性高； ★IC 內(nèi)部集成 CC/CV 環(huán)路，CC
2016-02-18 13:32:54
到 40V 以上； ★內(nèi)部集成功率 MOSFET，外圍器件少，系統(tǒng)成本低； ★內(nèi)置輸入過壓保護(hù)、過溫保護(hù)、過流保護(hù)、短路保護(hù)全套可靠性保護(hù)電路，可靠性高； ★IC 內(nèi)部集成 CC/CV 環(huán)路，CC
2016-02-24 15:29:36
到 40V 以上； ★內(nèi)部集成功率 MOSFET，外圍器件少，系統(tǒng)成本低； ★內(nèi)置輸入過壓保護(hù)、過溫保護(hù)、過流保護(hù)、短路保護(hù)全套可靠性保護(hù)電路，可靠性高； ★IC 內(nèi)部集成 CC/CV 環(huán)路，CC
2016-02-29 15:05:33
針對(duì)車載充電的全系列全集成方案芯片，內(nèi)部集成過熱保護(hù)、過流保護(hù)、輸入過壓保護(hù)、短路保護(hù)等全套可靠性保護(hù)電路，系統(tǒng)最大輸出電流達(dá)到 4.2A ，輸入電壓最高支持到 45V ，轉(zhuǎn)換效率高，外圍元器件少
2016-03-03 09:56:38
針對(duì)車載充電的全系列全集成方案芯片，內(nèi)部集成過熱保護(hù)、過流保護(hù)、輸入過壓保護(hù)、短路保護(hù)等全套可靠性保護(hù)電路，系統(tǒng)最大輸出電流達(dá)到 4.2A ，輸入電壓最高支持到 45V ，轉(zhuǎn)換效率高，外圍元器件少
2016-03-09 10:04:23
針對(duì)車載充電的全系列全集成方案芯片，內(nèi)部集成過熱保護(hù)、過流保護(hù)、輸入過壓保護(hù)、短路保護(hù)等全套可靠性保護(hù)電路，系統(tǒng)最大輸出電流達(dá)到 4.2A ，輸入電壓最高支持到 45V ，轉(zhuǎn)換效率高，外圍元器件少
2016-03-22 09:38:07
針對(duì)車載充電的全系列全集成方案芯片，內(nèi)部集成過熱保護(hù)、過流保護(hù)、輸入過壓保護(hù)、短路保護(hù)等全套可靠性保護(hù)電路，系統(tǒng)最大輸出電流達(dá)到 4.2A ，輸入電壓最高支持到 45V ，轉(zhuǎn)換效率高，外圍元器件少
2016-03-31 14:00:21
針對(duì)車載充電的全系列全集成方案芯片，內(nèi)部集成過熱保護(hù)、過流保護(hù)、輸入過壓保護(hù)、短路保護(hù)等全套可靠性保護(hù)電路，系統(tǒng)最大輸出電流達(dá)到 4.2A ，輸入電壓最高支持到 45V ，轉(zhuǎn)換效率高，外圍元器件少
2016-04-07 13:57:39
針對(duì)車載充電的全系列全集成方案芯片，內(nèi)部集成過熱保護(hù)、過流保護(hù)、輸入過壓保護(hù)、短路保護(hù)等全套可靠性保護(hù)電路，系統(tǒng)最大輸出電流達(dá)到 4.2A ，輸入電壓最高支持到 45V ，轉(zhuǎn)換效率高，外圍元器件少
2016-04-27 15:28:07
，高輸出功率下?lián)p耗的降低，會(huì)導(dǎo)致低負(fù)載范圍內(nèi)損耗的升高。 英飛凌通過推出阻斷電壓為40V和60V的新型MOSFET，為在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)大幅降低各種損耗創(chuàng)造了條件。 通過對(duì)測(cè)量曲線進(jìn)行直接比對(duì)，結(jié)果顯示
2018-12-06 09:46:29
1.0mmｘ1.0mmｘ0.6mm車載級(jí)封裝?支持AEC-Q100?工作溫度范圍：Ta＝40℃～+125℃（Tjmax.150℃）?支持小型陶瓷電容（Min.0.22μF）?低耗電量（Typ.35μA）?高紋波抑制率
2018-12-04 10:13:49
采用 ESOP8 封裝，且外圍元器件少。特點(diǎn)? 2A 的峰值輸出電流? 40V/3A 的內(nèi)部功率 MOSFET? 低 ESR 陶瓷電容輸出穩(wěn)定? 效率高達(dá) 96%? 頻率可調(diào)? 熱關(guān)斷? 逐周期過流保護(hù)
2020-11-09 17:11:00
今天巴丁微電子來給大家推薦一款高性能車載驅(qū)動(dòng)芯片-B8153A，下面是對(duì)這款新型產(chǎn)品一些簡(jiǎn)單描述。產(chǎn)品概述：BD8153是一款輸入耐壓可達(dá)40V的降壓式DC/DC驅(qū)動(dòng)電路，能夠?qū)崿F(xiàn)精確的恒流以及恒壓
2016-11-05 09:27:03
創(chuàng)新封裝將功率MOSFET散熱效率提升80%
德州儀器 (TI) 公司采用創(chuàng)新的封裝技術(shù)，面向高電流DC/DC應(yīng)用，推出5款目前業(yè)界首個(gè)采用封裝頂部散熱的標(biāo)
2010-03-01 11:37:22828 
英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標(biāo)桿，從而進(jìn)一步
2011-09-13 08:33:16692 東芝于日前宣布，開始銷售可確保在175℃條件下工作的車載設(shè)備用功率MOSFET“TK80A04K3L”。這是一款耐壓為＋40V的n通道產(chǎn)品，是該公司功率MOSFET系列“U-MOS IV”的新成員。除車載電子設(shè)備外，還可用于工業(yè)電子設(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品等的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路和開關(guān)穩(wěn)壓器。
2013-01-23 09:25:13737 新產(chǎn)品是東芝首款采用緊湊型SOP Advance（WF）封裝的車用100V N溝道功率MOSFET。封裝采用可焊錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu)，安裝在電路板上時(shí)能夠進(jìn)行自動(dòng)目視檢查，從而有助于提高可靠性。
2019-12-26 09:26:463094 NP3P06MR(40V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
2022-07-13 11:01:23914 
Vishay?七款新型二極管和 MOSFET 功率模塊 靈活的器件采用 PressFit 引腳壓合技術(shù) 在小型封裝中內(nèi)置各種電路配置 Vishay? 針對(duì)車載充電應(yīng)用專門推出七款新型二極管
2022-11-25 15:20:05926 ”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導(dǎo)通電阻。產(chǎn)品于今日開始出貨。 ? 近年來，隨著社會(huì)對(duì)電動(dòng)汽車需求的增長(zhǎng)，產(chǎn)業(yè)對(duì)能滿足車載設(shè)備更大功耗的元器件的需求也在增加。這兩款新品采用了東芝的新型L-TOGLTM封裝，支持大電流、低導(dǎo)通電阻和高散熱。上述產(chǎn)品未采用內(nèi)部接線柱[1]結(jié)構(gòu)，
2023-02-04 18:31:452676 采用 SOT78 封裝的 N 溝道 40 V、1.7 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R9-40PL
2023-02-23 18:38:59
0 40V – 250A – N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用：汽車
2023-03-13 19:19:530 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-03-31 10:05:32728 應(yīng)用: DC-DC轉(zhuǎn)換 SMPS中的同步整流 硬開關(guān)和高速電路 電動(dòng)工具 電機(jī)控制 概述： PL1303N04是寶礫微推出的4開關(guān)N溝道功率MOSFET，采用QFN6*6-40L封裝。產(chǎn)品具有較強(qiáng)
2023-04-11 14:47:50515 40V – 250A – N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用：汽車
2023-07-04 20:37:240 點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（簡(jiǎn)稱“東芝”） 拓展了其車載 -60V P 溝道 MOSFET 的產(chǎn)品線，現(xiàn)已開始量產(chǎn)兩款采用 SOP Advance(WF
2023-07-19 17:35:02378 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-08-22 11:03:21557 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10601 
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