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電子發燒友網>汽車電子>東芝開發出業界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊,助力工業設備的高效率和小型化

東芝開發出業界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊,助力工業設備的高效率和小型化

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東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊,有助于提升工業設備效率小型化

東芝面向工業應用推出一款集成最新開發的雙通道碳化硅SiCMOSFET芯片(具有3300V和800A特征)的模塊---“MG800FXF2YMS3”,該產品將于2021年5月投入量產。
2021-02-25 14:14:40951

談談可提高碳化硅MOSFET可靠性的東芝新器件結構如何

東京——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(簡稱“東芝”)今日宣布了一種可提高碳化硅SiCMOSFET[1]可靠性的新
2021-03-15 11:30:262087

東芝新推出的1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊

?東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET模塊:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”;額定電壓為1700V、額定
2022-02-01 20:22:024606

羅姆半導體開發出新型碳化硅功率元器件第4代SiC MOSFET

“雙碳時代”已緩緩拉開帷幕,各行各業都將面臨減排挑戰。在電動車領域中,如何開發出小型化、更低功耗、更高性能的電控系統已成為產業鏈上下共同探索的方向。羅姆半導體集團順應時代發展潮流,開發出新型碳化硅
2022-03-19 11:12:212089

從硅到碳化硅(SiC) 有哪些好處和應用?

Agarwal 的播客中,我們將發現 SiC 的好處和應用。 討論的文章: 改進碳化硅晶圓工藝 碳化硅功率模塊建模 商用 1.2 kV 4H-SiC 功率 MOSFET 的柵極漏電流行為研究 商用 1.2
2022-08-03 17:07:351385

SiC MOSFET模塊實現系統的低損耗和小型化

SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅SiC)的功率半導體器件,在高速開關性能和高溫環境中,優于目前主流應用的硅(Si)IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業設備
2022-11-06 21:14:51957

基于碳化硅(SiC)的MOSFET可實現更高效率水平

相比基于硅(Si)的MOSFET,基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實現更高的效率水平,但有時難以輕易決定這項技術是否更好的選擇。本文將闡述需要考慮哪些標準因素。
2022-12-01 10:23:191015

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產業鏈介紹

我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠;碳化硅
2023-02-21 10:04:111693

SiC碳化硅二極管的特性和優勢

碳化硅MOSFET。第三代半導體涵蓋SiC碳化硅二極管,SiC碳化硅MOSFET,SiC碳化硅模塊SiC碳化硅裸芯片這四類
2023-02-21 10:16:472091

Wolfspeed 的碳化硅 MOSFET 滿足大功率應用需求

碳化硅SiC)技術的新興機遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統,SiC MOSFET 就能為許多行業的許多不同應用提供高效率,包括那些必須在惡劣環境中運行的應用。
2023-05-19 11:27:34548

碳化硅MOSFET的應用場景

碳化硅(SiC)技術的新興機遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統,SiC MOSFET就能為許多行業的許多不同應用提供高效率,包括那些必須在惡劣環境下運行的應用。
2023-07-21 11:42:14624

碳化硅MOSFET的應用場景及其影響

  碳化硅SiC)技術的新興機遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統,SiC MOSFET就能為許多行業的許多不同應用提供高效率,包括那些必須在惡劣環境中運行的應用。
2023-08-16 10:28:21658

瞻芯電子正式開發第二代碳化硅(SiC)MOSFET產品

瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產線,開發了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產品,其中IV2Q12040T4Z?(1200V 40mΩ?SiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101
2023-08-21 09:42:121285

東芝開發出業界首2200V碳化硅SiCMOSFET模塊,助力工業設備高效率小型化

點擊“東芝半導體”,馬上加入我們哦! 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布, 推出業界首款 [1] 2200V碳化硅SiCMOSFET模塊—“ MG250YD2YMS3
2023-08-31 17:40:07256

東芝推出用于工業設備的第3代碳化硅MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅SiCMOSFET---“TWxxxZxxxC系列”,該產品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片,用于支持工業設備應用。
2023-09-07 09:59:32738

東芝第3代碳化硅MOSFET為中高功率密度應用賦能

點擊 “東芝半導體”,馬上加入我們哦! 碳化硅SiC)是第3代半導體材料的典型代表,具有高禁帶寬度、高擊穿電場和高功率密度、高電導率、高熱導率等優越的物理性能,應用前景廣闊。 目前,東芝碳化硅
2023-10-17 23:10:02269

三菱電機與安世宣布將聯合開發高效碳化硅SiC)功率半導體

2023年11月,日本三菱電機、安世半導體(Nexperia)宣布,將聯合開發高效碳化硅SiCMOSFET分立產品功率半導體。
2023-11-25 16:50:53451

SiC碳化硅MOSFET的應用及性能優勢

碳化硅是第三代半導體產業發展的重要基礎材料,碳化硅功率器件以其優異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統的高效率、小型化和輕量化要求。
2024-01-20 17:18:29502

一文了解SiC碳化硅MOSFET的應用及性能優勢

共讀好書 碳化硅是第三代半導體產業發展的重要基礎材料,碳化硅功率器件以其優異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具有高頻高效
2024-02-21 18:24:15412

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