有人已經考慮將暗視野檢測用于檢測薄晶圓缺陷。基于光學技術，暗視野是指進行較低角度反射光測量。 暗視野對于晶圓前端檢測是有效的，但是由于研磨造成晶圓背面粗糙，對于背面檢測它是無效的。因此，晶圓背面研磨后應避免暗視野檢測。

隨著汽車電子市場持續增長，受半自動和全自動汽車研發的推動，具先進轉換方案的功率半導體元件需求持續增長，可降低功耗并有助于散熱。為了滿足以上需求，功率半導體制造商正將目標轉向生產薄晶圓。

現今的功率半導體主要在厚度為50 至 100 μm 的 200 mm 晶圓上生產，但其目標藍圖直指薄至 1μm 的晶圓。這種晶圓通過在其背面進行機械拋光使其變薄。拋光過程中會導致一些缺陷，包括研磨痕跡，磨削失敗產生的邊緣碎片、星形裂紋和碎屑，以及一些其他瑕疵。其中邊緣碎片、星形裂紋和碎屑是由邊緣夾在砂輪中顆粒、嵌入顆粒和裂縫形成的。

由于以上缺陷通常出現在晶圓背面而不是活性側，因此它們對于較厚晶圓而言并不是問題。但隨著晶圓變得越來越薄，這些缺陷正在影響芯片的可靠性。雖然薄晶圓背面的缺陷最初不會妨礙芯片功能，但它們確實會影響設備的整體可靠性。事實上，功率半導體可以很容易地加工成最終封裝，而缺陷不會被檢測到。然而，當如汽車處于高溫條件時，有可能形成裂紋并導致芯片故障。?

薄晶圓檢測對于晶圓分選工藝至關重要，也有助于工程師改進減薄工藝，但是許多現有缺陷檢測技術存在局限和不足。

目前大部分缺陷檢測依靠人工進行，通過強光下肉眼檢查實現，但并沒有進行放大檢測。由于該工藝通常由不同操作人員執行而不可重復，將導致缺少準確分類的最少缺陷信息。

使用可放大照相機進行自動光學檢測的方式也已經進行過嘗試，但是沒有成功，原因是該方式雖然提供自動化和可重復的工藝過程，但是不能檢查晶圓形貌以區分磨痕和深裂紋。

有人已經考慮將暗視野檢測用于檢測薄晶圓缺陷。基于光學技術，暗視野是指進行較低角度反射光測量。 暗視野對于晶圓前端檢測是有效的，但是由于研磨造成晶圓背面粗糙，對于背面檢測它是無效的。因此，晶圓背面研磨后應避免暗視野檢測。

最佳薄晶圓檢測需要對納米圖形敏感的技術，可同時檢測和測量納米比例表面變化。干涉測量法是使用光、無線電或聲波1干擾現象的測量方法，可以實現以上目的，但是基于干涉測量的許多工具速度緩慢、價格昂貴，且吞吐量較低。此外，干涉測量對于某些表面檢測應用來說是很好的選擇，但它不適用于在大批量制造環境中檢查和分選薄晶圓。

然而，有一種稱為相移偏轉測量 (PSD) 的技術，可以通過表面成像并在工具顯示器上產生的圖案來測量晶圓表面形貌。表面形貌變化會改變圖案形狀，來指征缺陷的存在。通過生成形貌圖圖像，可進行間距分析以對缺陷進行精確分類，并提供其尺寸和深度。最近才應用于 Silicon on Insulator (SOI) 與 Epitaxial (EPI) 晶圓檢測和滑移線檢測的PSD 正越來越受晶圓薄化檢測的歡迎。

由于 PSD 技術既具有成本效益又可快速進行大批量制造，生產超薄晶圓的公司開始采用該技術。此外，一些公司正在開始整合自動分類軟件，提供準確和詳細的缺陷信息。這種方法具有目前大多數制造商主要使用目視檢查所不具備的優點，預計將成為薄晶圓檢測的首選方法——特別是在諸如汽車等關鍵系統的功率半導體應用中。UnitySC 正通過 4See 系列和偏轉器模塊開創這一方法。