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X-FAB宣布對180nm BCD-on-SOI技術(shù)平臺進(jìn)行擴展,推出用于下一代汽車應(yīng)用的新型高壓器件

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2021-06-04 06:36:58

飛思卡爾的QorIQ通信平臺功能如何?

飛思卡爾半導(dǎo)體近日推出款全新的通信平臺,旨在實現(xiàn)下一代聯(lián)網(wǎng),把嵌入式多核的應(yīng)用提高到個新水平。新QorIQ平臺是飛思卡爾PowerQUICC處理器的下一代產(chǎn)品,旨在讓開發(fā)人員自信地移植到多核。
2019-07-30 06:10:24

X-FAB推出單塊嵌入式NVRAM作為專業(yè)晶圓代工解決方案

X-FAB推出單塊嵌入式NVRAM作為專業(yè)晶圓代工解決方案  業(yè)界領(lǐng)先的模擬/混合信號晶圓廠以及“超越摩爾定律”技術(shù)的專家,X-FAB Silicon Foundries,今天成為第一家也是唯一
2010-03-05 11:43:45994

Vashay推出下一代D系列高壓功率MOSFET

賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布推出下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導(dǎo)通
2012-05-03 17:29:421434

X-FAB首創(chuàng)200V SOI晶圓代工技術(shù)

X-FAB Silicon Foundries 日前推出全新的 XT018 制程,這是180奈米200V MOS的獨立溝槽電介質(zhì)(SOI)代工制程。
2012-11-28 10:04:091410

X-FAB針對模擬電路設(shè)計降低XP018芯片成本

X-FAB 24日宣布針對高性能模擬應(yīng)用設(shè)計,加強XP018工藝多樣性同時降低芯片的生產(chǎn)成本。音頻、傳感器界面與5V電源管理,對于成本敏感的消費應(yīng)用與需要180nm技術(shù)模擬集成是理想的選擇。
2013-06-25 10:52:14727

先進(jìn)的模擬180nm CMOS設(shè)計套件支持一次設(shè)計成功

艾邁斯半導(dǎo)體晶圓代工事業(yè)部總經(jīng)理Markus Wuchse表示:“在我們的奧地利工廠中啟用aC18技術(shù)對我們來說是一項里程碑。基于我們在350nm制程中的成功實踐,新款hitkit設(shè)計套件使艾邁斯半導(dǎo)體可以為晶圓代工客戶快速提供基于180nm制程的復(fù)雜的模擬半導(dǎo)體產(chǎn)品原型以及高質(zhì)量的量產(chǎn)產(chǎn)品。”
2016-07-21 08:51:552227

格芯宣布推出45nm射頻SOI技術(shù)來推動5G移動通信

近日,格芯宣布了其45納米射頻SOI(45RFSOI)產(chǎn)品的正式投放,使得格芯成為第一家為未來5G基站與智能手機,以及下一代毫米波波束賦形提供300毫米射頻硅設(shè)計方案的晶圓制造商。
2018-05-11 10:43:001910

格芯宣布,其22nm FD-SOI (22FDX?)技術(shù)平臺已通過AEC-Q100(2級)認(rèn)證,準(zhǔn)備投入量產(chǎn)

加利福尼亞州圣克拉拉,2018年5月23日——格芯宣布,其22nm FD-SOI (22FDX?)技術(shù)平臺已通過AEC-Q100(2級)認(rèn)證,準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。作為業(yè)內(nèi)符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)FD-SOI
2018-05-25 11:20:001424

高通公布下一代旗艦移動平臺的細(xì)節(jié)

此前有消息稱高通年底即將推出的新一代旗艦芯片——驍龍855將不會支持5G網(wǎng)絡(luò)。不過,今天高通對外宣布下一代旗艦移動平臺的部分細(xì)節(jié):將采用7nm制程工藝,支持5G功能。
2018-08-24 16:05:503986

Synopsys推出用于180nm CMOS工藝技術(shù)的可重編程非易失性存儲器IP

關(guān)鍵詞:180nm , CMOS工藝技術(shù) , Synopsys , 非易失性存儲器IP , 可重編程 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)計、驗證和制造軟件及知識產(chǎn)權(quán)(IP)供應(yīng)商新思科技有限公司(Synopsys
2018-10-14 17:36:01374

保時捷聯(lián)手奧迪開發(fā)了一個全新電動平臺用于下一代電動汽車

據(jù)悉,保時捷已經(jīng)與奧迪合作開發(fā)了一個名為PPE的全新電動平臺用于下一代電動汽車
2018-11-26 09:49:25967

下一代定制設(shè)計平臺可將設(shè)計人員工作效率提高5倍

用于所有先進(jìn)的10nm FinFET設(shè)計。這種下一代定制設(shè)計平臺可將設(shè)計人員的工作效率提高5倍,并為新興的7nm技術(shù)提供初始支持。
2019-08-08 15:40:13982

Sanborn宣布推出下一代高精地圖技術(shù) - M-Maps

據(jù)外媒報道,當(dāng)?shù)貢r間8月13日,地圖公司Sanborn宣布推出下一代高精地圖(HD Map)技術(shù) - M-Maps,而且該技術(shù)將應(yīng)用于L4和L5自動駕駛汽車。該公司總裁兼首席執(zhí)行官John
2019-08-15 15:45:312577

X-FAB為針對模擬電路設(shè)計而降低了XP018芯片的成本

X-FAB針對可攜式模擬應(yīng)用提供180nm優(yōu)化的工藝。XP018工藝的多樣選擇以降低芯片的成本。這些選項是成本敏感的消費性應(yīng)用與需要180nm技術(shù)、模擬集成的理想選擇。
2019-10-14 17:17:16922

X-FAB針對模擬電路設(shè)計而降低XP018芯片的成本

X-FAB針對可攜式模擬應(yīng)用提供180nm優(yōu)化的工藝。XP018工藝的多樣選擇以降低芯片的成本。這些選項是成本敏感的消費性應(yīng)用與需要180nm技術(shù)、模擬集成的理想選擇。
2019-12-26 15:29:45798

基于微流控器件和CMOS以及SOI絕緣體上硅芯片的集成

X-FAB是全球領(lǐng)先的模擬/混合信號和MEMS代工廠之一。該公司的模塊化CMOS和SOI工藝處理尺寸涵蓋1.0 μm ~ 0.13 μm,同時SiC(碳化硅)和MEMS工藝也名列前茅。X-FAB在德國、法國、馬來西亞和美國共擁有六個生產(chǎn)基地,全球員工約3800名。
2020-06-20 09:47:443045

Socionext下一代汽車定制芯片將采用臺積電5nm工藝

SoC 設(shè)計與應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)廠商Socionext Inc.(以下“Socionext”)宣布,公司將采用臺積電最新5nm制程工藝(N5P)用于下一代汽車定制芯片業(yè)務(wù)。Socionext汽車定制芯片
2021-02-05 11:50:271835

X-FAB與派恩杰達(dá)成長期戰(zhàn)略合作,共同推動全球SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展

模擬晶圓代工龍頭企業(yè)X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)和國產(chǎn)SiC功率器件供應(yīng)商派恩杰聯(lián)合對外宣布,雙方就批量生產(chǎn)SiC晶圓建立長期戰(zhàn)略合作關(guān)系,此前雙方已經(jīng)合作近三年時間。
2021-09-07 10:06:42924

X-FAB宣布擴展其SubstrateXtractor工具應(yīng)用范圍

應(yīng)用范圍,讓用戶可以借助這一工具檢查不想要的襯底耦合效應(yīng)。作為全球首家為BCD-on-SOI工藝提供此類分析功能的代工廠,X-FAB將這一最初面向XH018和XP018 180nm Bulk CMOS工藝
2022-04-22 15:39:39322

開發(fā)適用于下一代汽車汽車網(wǎng)關(guān)

開發(fā)適用于下一代汽車汽車網(wǎng)關(guān)
2022-10-31 08:23:391

瑞薩、X-FAB宣布了擴產(chǎn)碳化硅的計劃

至于X-FAB,其計劃擴大在美國德克薩斯州拉伯克市(Lubbock)的代工廠業(yè)務(wù)。報道稱,該公司已在拉伯克運營20多年,將在未來5年內(nèi)進(jìn)行重大投資,其中第一階段的投資額為2億美元,以提高該廠區(qū)的碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)量。
2023-05-24 11:12:55556

X-FAB領(lǐng)導(dǎo)歐資聯(lián)盟助力歐洲硅光電子價值鏈產(chǎn)業(yè)化

Foundries(“X-FAB”)今日宣布,正在開展photonixFAB項目---該項目旨在為中小企業(yè)和大型實體機構(gòu)在光電子領(lǐng)域的創(chuàng)新賦能,使其能夠輕松獲得具有磷化銦(InP)和鈮酸鋰(LNO)異質(zhì)
2023-06-19 15:54:25453

X-FAB將CMOS直接集成到其電流隔離解決方案中

X-FAB Silicon Foundries SE正在以進(jìn)一步實質(zhì)性的方式推進(jìn)其電流隔離技術(shù)X-FAB在2018年推出的突破性工藝的基礎(chǔ)上,該工藝專為彈性分立電容或電感耦合器而設(shè)計,現(xiàn)在可用于
2023-11-07 16:02:34305

X-FAB推出一款新近紅外(NIR)增強型SPAD

。與2021年推出的上一代SPAD一樣,這款近紅外SPAD也基于X-FAB180 nm XH018工藝。通過在制造工藝中增加額外的步驟顯著增強了信號,同時仍然保持相同的低本底噪聲,且不會對暗計數(shù)率、寄生脈沖
2023-11-20 09:11:53398

X-FAB推出新的XIPD工藝,實現(xiàn)全集成緊湊射頻系統(tǒng)設(shè)計

模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries公司宣布,新增集成無源器件(IPD)制造能力,最新推出XIPD工藝,進(jìn)一步增強其在射頻領(lǐng)域的廣泛實力。
2023-11-21 17:03:00385

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