全新60W GaN HEMT Psat晶體管幫助降低軍用和民用雷達系統,對于高功率放大器尺寸、重量以及散熱的要求
2012-07-10 09:36:521023 電子設備及儀器使用的電子元器件,一般需要在長時間連續通電的情況下工作,并且受到環境條件(溫度和濕度等)的變化和各種其它因素的影響,(如是在煤礦井下惡劣的條件下工作)因此要求它必須具有高的可靠性
2018-09-04 09:39:5112900 接著我們必須保持工作點的變化足夠小,以確保小信號近似法有效。同樣,大家的反應仍然是“你愛咋說就咋說吧”。最后,我們必須用電容進行交流耦合和去耦?,F在甚至連“你愛咋說就咋說吧”的反應都沒有了。我試圖通過粗略地分析圖1所示的電路來證明上述觀點,但意識到我的努力是多么的無意義,只好無奈地說,今天的課就到這兒吧。
2020-09-24 11:54:161159 的內部結構,可以在內部工作原理中引導和直流電,以調節它們并將它們帶到需要的地方。晶體管就是其中之一。8050型晶體管是一種非常特殊的器件,被歸類為負-正-負(NPN)外延放大器晶體管,最常見于無線電
2023-02-16 18:22:30
晶體管并聯時,當需要非常大的電流時,可以將幾個晶體管并聯使用。因為存在VBE擴散現象,有必要在每一個晶體管的發射極上串聯一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性:就三極
管,mos
管和可控硅之間的差別和相同點的相關概念有點模糊,請各位大俠指點?。。?/div>
2016-06-07 23:27:44
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?! “唇Y構
2010-08-12 13:59:33
管的E極接A點,C極接B點;NPN管的E有接B點,C極接A點)后,調節電源電壓,當發光二極管LED點亮時,A、B兩端之間的電壓值即是晶體管的反向擊穿電壓。(本文由Cogo商城-IC元器件在線采購平臺
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數?有的器件有放大倍數改變的參數。另外,不同的仿真模型參數不同如何改變?
2014-02-28 08:42:03
晶體管測量模塊的基本特性有哪些?晶體管測量模塊的基本功能有哪些?
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯的晶體管電路設計書籍!`
2016-11-08 14:12:33
晶體管的主要參數有哪些?晶體管的開關電路是怎樣的?
2021-06-07 06:25:09
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統稱為“Si晶體管”,不過根據制造工藝和結構,還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外,還可根據處理的電流、電壓和應用進行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
的電流、電壓和應用進行分類。 下面以“功率元器件”為主題,從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中,將以近年來控制大功率的應用中廣為采用的MOSFET為主來展開。 先來看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
控制大功率現在的功率晶體管能控制數百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開關有很多優點,主要是;(1)容易關斷,所需要的輔助元器件少,(2)開關迅速,能在很高的頻率下工作,(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年,晶體管的發明給當時的電子工業界來帶來了前所未有的沖擊。而且,正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首,電子技術取得急速
2019-05-05 00:52:40
)用業收集電子。晶體管的發射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關系如下:IE=IB+IC3.晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導體器件,其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大,是指當
2013-08-17 14:24:32
;nbsp; 晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關,基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
詳情IB0912M500是一款高功率脈沖晶體管器件,專為在0.960-1.215 GHz瞬時帶寬內工作的系統而設計。 在規定的脈沖條件下工作在C類模式且VCC = 50V時,該公共基極器件提供至少
2019-09-19 14:09:23
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件,設計用于在0.960-1.215 GHz瞬時帶寬上運行的系統。 當在規定的脈沖條件下且VCC = 50V時以C類模式工作時,該通用基本設備可提供至少
2021-04-01 09:41:49
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件,設計用于在0.960-1.215 GHz瞬時帶寬上運行的系統。 當在規定的脈沖條件下且VCC = 50V時以C類模式工作時,該通用基本設備可提供至少
2021-04-01 10:29:42
電壓(與功率MOSFET的低導通電阻相當)和較快的開關特性的晶體管。盡管其具有較快的開關特性,但仍比不上功率MOSFET,這是IGBT的弱點?!竟β试?b class="flag-6" style="color: red">器件的基本結構與特點
2019-05-06 05:00:17
在本文中,我們將探討 MOSFET 和鰭式場效應晶體管的不同器件配置及其演變。我們還看到 3D 配置如何允許每個集成電路使用更多晶體管?! ∑矫媾c三維 (3D) 平面MOSFET(圖1)在Lg
2023-02-24 15:20:59
求大神相助,Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那,當我設的電壓已經大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導通。
2014-08-08 10:42:58
型摻雜半導體材料隔開。PNP晶體管中的大多數電流載流子是空穴s,而電子是少數電流載流子。施加到PNP晶體管的所有電源電壓的極性都是反轉的。電流在PNP中吸收到基極,由于PNP是電流控制器件,適度的基極
2023-02-03 09:44:48
眾所周知,像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導體單元因短路或負載失配等原因損壞時繼續工作。因此,將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
)= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替,MFR151管子能用哪個來代替?或是誰有這兩個高頻管子的原件庫?求大神指教
2016-10-26 11:51:18
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管是通常用于放大器或電控開關的半導體器件。晶體管是調節計算機、移動電話和所有其他現代電子電路運行的基本構件。由于其高響應和高精度,晶體管可用于各種數字和模擬功能,包括放大器、開關、穩壓器、信號
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此?,F在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
相當高的總電流增益。輸出晶體管的最大集電極電流決定了輸出晶體管對的最大集電極電流,可以是 100 安培或更高。需要的物理空間更少,因為晶體管通常封裝在一個器件中。另一個優點是整個電路可以具有非常高
2023-02-16 18:19:11
電場控制材料的電導率。 鰭式場效應晶體管是一種非平面器件,即不受單個平面的限制。它也被稱為3D,因為具有第三維度?! 楸苊饣煜?,必須了解不同的文獻在提及鰭式場效應晶體管器件時使用不同的標簽
2023-02-24 15:25:29
請教:單結晶體管在什么位置,有人說是UJT,但好象用不了呀?
2013-09-26 16:55:49
各位高手,小弟正在學習單結晶體管,按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真,大多數都不成功,請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊,可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
)場效應管是利用多數載流子導電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數載流子,也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。(4)場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上,因此場效應管
2018-11-05 17:16:04
和集電極之間具有無限電阻,當它完全打開時,發射極和集電極之間的電阻為0,導致電流流到最大?! 嶋H上,當晶體管在截止時(即完全關閉時)運行時,我們將有少量漏電流。另一方面,當在飽和區域工作時,該器件具有低
2023-02-20 16:35:09
本應用指南介紹了一種采用后向設計的基本驅動電路,它從輸出晶體管器件開始再返回到水平振蕩器,便于加速晶體管的水平輸出級。
2014-09-22 17:14:04
什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
來至網友的提問:如何選擇分立晶體管?
2023-11-24 08:16:54
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此?,F在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻,它們在型號上的大致區別是什么?例如《晶體管電路設計》中列舉的:高頻(2SA****,2SC*****)、低頻(2SB****,2SD****)?,F在產品設計中最常用的型號是哪些?
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大,通過什么手段能解決?
2021-06-24 07:29:25
選定方法①使TR達到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻:R1是±30% E-B間的電阻:R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數字晶體管具有下面的關系式?!鰯底?b class="flag-6" style="color: red">晶體管
2019-04-22 05:39:52
選定方法數字晶體管的型號說明IO和IC的區別GI和hFE的區別VI(on)和VI(off)的區別關于數字晶體管的溫度特性關于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領域(數字晶體管的情況)關于數字晶體管
2019-04-09 21:49:36
誰能提供一個sdADC的設計電路,給出了詳細的晶體管器件尺寸。如果哪個paper中有如此詳細的電路,歡迎提供,不甚感激。
2021-06-25 07:26:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖:按照該分類,掌握其種類1. 按結構分類根據工作原理不同分類,分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi(2個)、極是指Polar(極性)。雙極晶體管,即流經構成
2019-05-05 01:31:57
端上的每個開關實現表1中并聯的兩個晶體管器件。圖 5:采用 GaN 的 3KW 500kHz LLC 諧振轉換器的損耗和效率與 Si 和 SiC 的關系圖5顯示了所有晶體管均為500KHz的3KW半橋
2023-02-27 09:37:29
和高頻場效應晶體管(FET)。WBG 材料以其優異的電學特性,如 GaN 和碳化硅(SiC) ,克服了硅基高頻電子器件的局限性。更重要的是,WBG 半導體可用于可擴展的汽車電氣系統和電動汽車(電動汽車
2022-06-15 11:43:25
電子產品中,近年來逐漸被晶體管和集成電路所取代,但目前在一些高保真音響器材中,仍然使用電子管作為音頻功率放大器件?! 《?b class="flag-6" style="color: red">晶體管是一種固體半導體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多
2016-01-26 16:52:08
的半導體開關器件。IGBT 晶體管采用了這兩種類型的晶體管的最好的部分,高輸入阻抗和高開關速度的 MOSFET 與低飽和電壓的雙極性晶體管,并結合在一起,產生另一種晶體管開關設備,能夠處理大集
2022-04-29 10:55:25
來至網友的提問:如何選擇分立晶體管?
2018-12-12 09:07:55
的晶體管”?! ∫了孤兔资怖菍Φ?。氮化鎵的寬帶隙(使束縛電子自由斷裂并有助于傳導的能量)和其他性質讓我們能夠利用這種材料承受高電場的能力,制造性能空前的器件。 如今,氮化鎵是固態射頻功率應用領域
2023-02-27 15:46:36
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
六大訣竅著手。二、場效應晶體管選擇的六大訣竅1、溝道類型選擇好場效應晶體管器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道場效應晶體管。在典型的功率應用中,當一個場效應晶體管接地,而負載連接到干線電壓上時,該場效應晶體管
2019-04-02 11:32:36
自晶體管器件誕生后,電子儀器及設備的直流供電大都由晶體管穩壓電源來承擔。從遠離上看,已經使用多年的這
2010-11-09 18:08:01860 隨著科學技術的發展,集成電路的集成密度不斷地在提高,MOS晶體管器件的尺寸也逐年縮小, 當MOS管的溝道長度小到一定值之后,出現的短溝道效應將對器件的特性產生影響
2011-07-04 10:29:594200 2012-10-11 10:20:3110 中國科學技術大學合肥微尺度物質科學國家實驗室的研究人員利用原子力針尖誘導的局域催化還原反應,實現了在單層氧化石墨烯上直接繪制納米晶體管器件。相關研究成果日前在線發
2012-11-23 09:29:301359 改進型模擬PUT(可編程單結晶體管)器件振蕩器原理圖都是值得參考的設計。
2016-05-11 17:11:4413 模擬PUT(可編程單結晶體管)器件振蕩器原理圖都是值得參考的設計。
2016-05-11 17:11:4415 模擬PUT(可編程單結晶體管)器件雙穩態電路原理圖都是值得參考的設計。
2016-05-11 17:11:4415 基礎的電子類資料,工程師必備文檔,快來下載學習吧
2016-07-20 15:48:570 基礎的電子類資料,設計和開發必備資料,快來下載學習吧。
2016-09-27 18:23:4712 基礎的電子類資料,設計和開發必備資料,快來下載學習吧。
2016-09-27 18:23:4715 基礎的電子類資料,開發和設計必備資料,快來下載學習吧
2016-10-09 15:03:309 三十多年來,本本體硅(bulk silicon)MSOFET工藝一直是晶體管器件所采用的主要CMOS工藝。我們非常熱衷于從縮小晶體管來提高密度和性能。在相同的成本上具有更快的速度、更大的內存,是一件
2019-05-17 08:22:003322 總體說來,凡是實際使用中的有源電路中往往都有半導體晶體管。在形形色色的電子世界中,晶體管是絕大部分電路功能的實現者,是電子電路設計者必須掌握的基本要素。只有正確地理解掌握了基本的電路器件,才能
2018-08-30 16:59:290 一塊晶圓經過數個月的加工,在指甲蓋大小的空間中集成了數公里長的導線和數以億計的晶體管器件,經過測試,品質合格的晶片會被切割下來,剩下的部分會報廢掉。千挑萬選后,一塊真正的芯片就這么誕生了。
2018-09-08 10:41:53111019 本文設計了一種工作在1.8GHz 的F 類功率放大器,使用LDMOS 晶體管作為有源器件以便產生高功率和高效率。F 類放大器通過對不同的諧波進行調諧來峰化漏極電壓和電流的波形,漏極電壓波形包含
2018-12-21 16:50:304 電力晶體管器件屬于功率半導體類別,如高壓二極管、瞬變二極管、二極管整流橋、MOSFET、IGBT等,多年來市場需求、產品價格穩健。雖然會受到行業周期、中美貿易摩擦的影響,但是市場總體波動不大,發展前景廣闊。
2019-10-07 15:52:005065 電力晶體管器件屬于功率半導體類別,如高壓二極管、瞬變二極管、二極管整流橋、MOSFET、IGBT等,多年來市場需求、產品價格穩健。雖然會受到行業周期、中美貿易摩擦的影響,但是市場總體波動不大,發展前景廣闊。
2019-09-22 08:31:004790 本文首先闡述了晶體管的概念,其次介紹了晶體管的優越性,最后闡述了晶體管的控制方式。
2020-03-14 09:47:1211820 總體說來,凡是實際使用中的有源電路中往往都有半導體晶體管。在形形色色的電子世界中,晶體管是絕大部分電路功能的實現者,是電子電路設計者必須掌握的基本要素。只有正確地理解掌握了基本的電路器件,才能
2020-05-25 08:00:0010 本期分享的科研成果來自南京大學-浙江大學聯合研制的新型能谷晶體管器件,該器件可以在完全不加電壓的情況下工作,在非常低的電流下也能夠實現很大的輸出信號的調控。如此神奇的固態量子器件究竟如何工作
2020-09-26 09:42:352184 總體說來,凡是實際使用中的有源電路中往往都有半導體晶體管。在形形色色的電子世界中,晶體管是絕大部分電路功能的實現者,是電子電路設計者必須掌握的基本要素。只有正確地理解掌握了基本的電路器件,才能
2020-09-30 08:00:007 這些器件表現出了優異的特性:晶體管器件密度可達 1518 個 / 平方厘米,成品率高達 97%,是目前已報道結果中最高指標;單個器件也表現出較好的電學性能和柔韌性。
2020-10-23 14:35:514562 光刻機是在硅晶片上雕刻集成電路的機器,決定著晶體管的尺寸。想要在指甲大小的硅晶片上,集成數公里廠的導線、上億的晶體管器件,難度相當大。
2021-01-07 15:27:451691 晶體管是器件中提供開關功能的關鍵組件。幾十年來,基于平面晶體管的芯片一直暢銷不衰。走到20nm時,平面晶體管開始出現疲態。為此,英特爾在2011年推出了22nm的FinFET,之后晶圓廠在16nm/14nm予以跟進。
2021-03-22 11:35:242075 西電劉艷團隊于IEEE EDL四月刊發布了基于靜電摻雜的鐵電晶體管器件,相比化學摻雜工藝,其具有非揮發、可重構、輕摻雜漏極、高源漏摻雜濃度、低源漏電阻等優良特性,對于先進集成電路工藝微縮和后摩爾新型
2021-04-15 15:11:061600 據悉,該項研究成果為未來亞納米器件功能原理探索拓展了思路,證明了亞納米信息器件中,信息的傳輸行為有不同的可能性和豐富的潛在功能,為強關聯物理現象(非常規超導、量子臨界等)的研究提供了新的平臺。
2021-04-25 09:07:241660 中科院微電子所近期發表了先導工藝研發中心團隊在垂直納米環柵器件領域獲得的最新進展,該類型器件通過在垂直方向構建晶體管結構,大大減少了器件占用面積,在3nm以下先進集成電路制造工藝領域極具應用潛力
2021-06-04 11:16:233648 模擬可編程單結晶體管器件振蕩器設計
2021-06-27 10:31:3627 客戶還可以將 R-Car V3U 與瑞薩的高性能、低功耗 RH850 微控制器、集成電源管理 IC 和功率晶體管器件相結合,以訪問其 ADAS 和 AD ECU 所需的所有關鍵組件。我們正在準備獲勝組合以支持 R-Car V3U 并為客戶提供完整的系統解決方案。
2022-04-29 15:36:041040 從 70 年代下半葉開始,電源管理應用的主導技術是基于 MOSFET(金屬氧化物硅場效應晶體管)器件,在效率和成本降低方面不斷取得進步和改進。然而,隨著第三個千年的到來,新解決方案和對現有技術的改進
2022-08-09 09:26:591342 總體說來,凡是實際使用中的有源電路中往往都有半導體晶體管。在形形色色的電子世界中,晶體管是絕大部分電路功能的實現者,是電子電路設計者必須掌握的基本要素。只有正確地理解掌握了基本的電路器件,才能
2022-09-20 14:23:1111 總體說來,凡是實際使用中的有源電路中往往都有半導體晶體管。在形形色色的電子世界中,晶體管是絕大部分電路功能的實現者,是電子電路設計者必須掌握的基本要素。只有正確地理解掌握了基本的電路器件,才能
2022-12-20 16:38:286 GaN功率晶體管:器件、技術和可靠性詳解
2022-12-21 16:07:11426 針對此問題,微電子所劉明院士團隊制備了基于p型和n型有機分子構成的單晶電荷轉移界面的晶體管器件,探究了電荷轉移界面以及柵氧界面電場的相互作用對晶體管工作時載流子及電導分布特性的影響。
2023-01-13 15:19:38370 大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱為功率器件,屬于電力電子技術(功率電子技術)領域研究范疇。其實質就是要有效地控制功率電子器件合理工作,通過功率電子器件為負載提供大功率的輸出。
2023-03-01 09:39:241038 總體說來,凡是實際使用中的有源電路中往往都有半導體晶體管。在形形色色的電子世界中,晶體管是絕大部分電路功能的實現者,是電子電路設計者必須掌握的基本要素。只有正確地理解掌握了基本的電路器件,才能
2023-03-24 13:53:1926 有機發光晶體管(OLETs)是兼具有機場效應晶體管(OFETs)和有機發光二極管(OLEDs)功能的小型化光電集成器件,具有制備工藝簡單、集成更容易等優勢,被認為是實現下一代變革性新型顯示技術的重要
2023-11-08 09:14:42244 近日,西安電子科技大學郝躍院士團隊劉艷教授和羅拯東副教授在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進展,相
2024-02-20 18:22:20796 、特性和應用。下面將詳細介紹這些內容,以幫助您更好地了解和選擇BJT和FET。 一、晶體三極管 (BJT) 1. 工作原理: 晶體三極管是一種由三個不同類型的半導體材料(P型、N型或P型)組成的雙極型晶體管器件。它由一個基區、一個發射區和一個收集
2024-03-06 14:22:33205
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