資料介紹
對NTD氫區(qū)熔單晶硅進行了不同溫度下等時退火,采用Hall 電學方法測量了電阻率、遷移率隨退火溫度的變化規(guī)律。利用紅外吸收技術測量了單晶硅氫區(qū)熔退火前后及NTD氫區(qū)熔單晶硅不同退火溫度下與氫、輻照缺陷有關的紅外振動吸收峰變化,對輻照缺陷的退火行為進行了探討。實驗證實NTD氫區(qū)熔單晶硅在150~650C 范圍內等時退火具有顯著特點:在500‘C 下退火,出現(xiàn)電阻率極小值,即出現(xiàn)濃度很高的過量淺施主;P 型向N 型轉變溫度為400C,遷移率恢復溫度為500C,載流子恢復溫度為600C,均明顯低于NTD氬區(qū)熔單晶硅轉型溫度及遷移率和載流子恢復溫度,這與氫積極參與輻照缺陷相互作用直接相關。
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